注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI3424BDV-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.234按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.234
--
200+
￥0.151
--
1500+
￥0.131
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3424BDV-T1-E3参数
| 封装/外壳 | SOT-23-6细型，TSOT-23-6 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 735pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），2.98W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
SI3424BDV-T1-E3手册
SI3424BDV-T1-E3概述
产品概述：SI3424BDV-T1-E3 MOSFET
一、产品简介
SI3424BDV-T1-E3是一款由Vishay（威世）公司制造的高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23-6细型封装，专为表面贴装（SMT）应用而设计。这款MOSFET适用于多种电子电路中，特别是在电源管理、开关电源和电机驱动等领域，具有出色的开关性能和可靠性。
二、主要参数
- 封装/外壳：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
- 类型：N沟道MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss)：最大耐压为30V，适合低电压应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，最大连续漏极电流达8A，提供强大的电流输出能力。
- 驱动电压：额定最大Rds On情况下，驱动电压为4.5V和10V。
- 导通电阻 (Rds On)：在不同的漏极电流和栅极驱动电压下，最大导通电阻为28毫欧@7A和10V，显示出其良好的导电性。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为3V@250µA，使得MOSFET能够在较低的栅极电压下开启。
- 栅极电荷 (Qg)：在10V驱动情况下，最大栅极电荷为19.6nC，能够快速响应开关。
- 输入电容 (Ciss)：最大输入电容为735pF@15V，确保了高频开关性能。
- 功率耗散：最大功率耗散为2.1W（环境温度）和2.98W（芯片温度），能够有效管理热量。
- 工作温度范围：广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，适用于各种极端环境。
- 栅源电压 (Vgs)：最大值为±20V，增强了器件的稳定性和保护能力。
三、应用场景
SI3424BDV-T1-E3 MOSFET非常适合用于以下应用：
- 开关电源（SMPS）：凭借其低导通损耗和高开关频率能力，这款MOSFET能够有效提高电源转换效率。
- 电机驱动：在各类电机控制应用中，可以准确控制电机的起始、停止和速度调节。
- 电源管理：它常用于电源分配、负载开关和电源调节的应用场合，能够实现高效的电力传输。
- LED驱动：由于其快速开关特性和高电流承载能力，适用于LED照明控制和驱动电路。
- 电池管理系统：作为电池监控和充电管理电路中的开关元件，提供了可靠的性能和稳定性。
四、总结
SI3424BDV-T1-E3 N沟道MOSFET在设计上强调高效率和高性能，适合各种现代电子产品和系统。其小巧的SOT-23-6细型封装增强了空间的利用，同时其优异的电气性能确保了设备的稳定性与有效能量管理。凭借Vishay在电子元器件领域的品牌声誉，SI3424BDV-T1-E3是设计工程师在选择高性能MOSFET时的理想选择。对于需要在低压条件下提供高电流和高热稳定性的应用项目，SI3424BDV-T1-E3无疑是一个值得信赖的解决方案。