SI2325DS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.04g
描述 :
场效应管(MOSFET) 750mW 150V 530mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
2.11按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.11
--
100+
￥1.7
--
750+
￥1.51
--
1500+
￥1.42
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2325DS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 530mA |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 750mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 530mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2325DS-T1-GE3手册
SI2325DS-T1-GE3概述
产品概述：SI2325DS-T1-GE3 P沟道MOSFET
1. 产品简介
SI2325DS-T1-GE3 是由VISHAY（威世）公司生产的一款P沟道场效应管（MOSFET），其在高电压和中等电流应用中表现优异。该器件专为需要高效能和紧凑封装的应用场合而设计，适合在各种电子产品中用作开关和放大器。该产品采用SOT-23-3 (TO-236)封装形式，使其在电路设计中具备良好的通用性和适配性。
2. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 最大150V，适合用于高压电源和开关应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C时额定530mA，适合于中等电流的控制和开关电路。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 250µA，保证在低电压条件下启动。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大为1.2Ω @ 500mA，10V，有助于降低功耗和提高效率。
- 最大功率耗散: 750mW（在环境温度25°C下），能够有效控制热量产生。
- 工作温度范围: 从-55°C到150°C（TJ），在各种温度条件下维持稳定性能。
3. 电气特性
SI2325DS-T1-GE3的关键电气特性为其在特定工作条件下的表现。在10V的驱动电压下，该器件的最大Rds(on)为1.2Ω，当电流为500mA时，能有效地降低功率损耗。进一步地，其最大栅极电荷（Qg）为12nC @ 10V，使得快速开关能力得到提升。
4. 应用场景
SI2325DS-T1-GE3因为其优异的高压特性和相对较高的工作电流，非常适合用于：
- 电源管理: 作为高效能的开关元件，能够控制电源的开关状态。
- 马达驱动电路: 在驱动直流电动机时，可以有效减少能量损失。
- 电池管理系统: 在电池充放电过程中，黄金开关可以确保高效能和优良的电源控制。
- 负载开关: 在各种电子产品中用作精确的负载开关，以管理电源的有效转化和利用。
5. 封装与安装
SI2325DS-T1-GE3采用SOT-23-3（TO-236）封装，具有小型轻便的优点，适合在空间有限的电路板上进行安装。其表面贴装型的设计，也让其在自动化生产线上的使用变得更加便利，适应了现代SMT（表面贴装技术）的需求。
6. 结论
SI2325DS-T1-GE3 是一款高效能P沟道MOSFET，结合了高耐压、合适的漏极电流、低导通电阻和宽广的工作温度范围，适合各种关键电子设备和系统中使用。无论是在功率管理、电机驱动，还是电池管理等领域，该元器件均可以确保良好的电能利用效率并延长设备的使用寿命。通过其紧凑的封装形式和优异的电气特性，SI2325DS-T1-GE3 是现代电子设备中不可或缺的核心元件之一。