SI2312BDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 750mW 20V 3.9A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
6014(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.63按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.63
--
100+
￥1.25
--
750+
￥1.04
--
1500+
￥0.948
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2312BDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.9A |
| 栅源极阈值电压 | 850mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 31mΩ @ 5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 750mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2312BDS-T1-GE3手册
SI2312BDS-T1-GE3概述
产品概述：SI2312BDS-T1-GE3 N沟道MOSFET
一、产品简介
SI2312BDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，专为通用应用设计，具备较低的导通电阻和高的电流承载能力，适合多种电子电路的应用，包括开关电源、音频放大、直流电机驱动以及各类控制电路。其小巧的SOT-23-3封装便于PCB布局，适合体积限制较小的设备。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id，25°C时）: 3.9A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 850mV @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 31mΩ @ 5A, 4.5V
- 功率耗散（Ta=25°C）: 750mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
三、技术特性
优良的导通特性: SI2312BDS-T1-GE3在工作时表现出优异的导通性能，即使在较高的电流下，其漏源导通电阻（Rds(on)）低至31mΩ，确保在开关过程中发热量小，提升了电路的整体效率和可靠性。
驱动电压范围: 此MOSFET的栅极驱动电压支持1.8V到4.5V，使其能够与宽范围的信号电平兼容，适用于低电压驱动的应用场景。
较低的栅极电荷: 该产品在4.5V下的栅极电荷（Qg）仅为12nC，意味着在高频开关应用中可以快速响应，减少开关延迟，提高开关频率，适应高效率的转换要求。
广泛的工作温度: SI2312BDS-T1-GE3的工作温度范围广泛，内置保护机制，使其在-55°C至150°C的环境下均能稳定工作，显示出良好的环境适应性。
四、应用领域
SI2312BDS-T1-GE3的多个关键参数使其在许多电子设备中得以广泛使用，包括：
- 开关电源: 由于其低功耗和高效能，适合用于各种电源供应链的开关效率提升。
- 电机驱动: 其良好的电流承载能力能够有效控制直流电机，确保启动和运行过程中的稳定性与可靠性。
- 音频设备: 在音频放大器应用中，低失真和快速开关特性使得配合其他电路使用时能够有效提升音质。
- 电源管理: 作为开关元件在电源管理IC中实现高效的电源切换特性，延长设备的使用寿命。
五、总结
SI2312BDS-T1-GE3是一款具有优良导通特性和宽应用范围的N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力及广泛的工作温度范围，使其成为用户在设计电源管理、开关电源及其他功率控制电路时的重要选择。无论是新产品设计还是现有产品的性能改进，SI2312BDS-T1-GE3都能满足市场对高效能、高可靠性的产品需求。通过合理选用这种组件，可以助力设计工程师实现更高的设计目标和更优的产品性能。