SI2308BDS-T1-GE3 产品实物图片
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SI2308BDS-T1-GE3

商品编码: BM0000285478
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.09W;1.66W 60V 2.3A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
11937(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
200+
¥0.837
--
1500+
¥0.728
--
3000+
¥0.633
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2308BDS-T1-GE3参数

漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻156mΩ @ 1.9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1W类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)156 毫欧 @ 1.9A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.8nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)190pF @ 30V功率耗散(最大值)1.09W(Ta),1.66W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

SI2308BDS-T1-GE3手册

SI2308BDS-T1-GE3概述

SI2308BDS-T1-GE3产品概述

1. 产品简介

SI2308BDS-T1-GE3 是一款来自VISHAY(威世)的高性能N沟道MOSFET(场效应管),适用于多种电子应用。该器件采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有出色的热性能和高效的开关特性,提供了卓越的电源管理能力。凭借其最大漏源电压(Vdss)为60V和连续漏极电流(Id)为2.3A的能力,该MOSFET非常适合用于高压及中等电流的电源转换、电机驱动和信号开关等应用。

2. 主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 60V,这使得SI2308BDS-T1-GE3能够处理高电压应用中常见的电压波动。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C时达到2.3A,保证了在不同工作条件下稳定的电流输出。
  • 导通电阻(Rds On): 在1.9A和10V下为156毫欧,低导通电阻显著减少了器件的能量损耗,提升了电源效率。
  • 驱动电压范围: 最小(Rds On):4.5V,最大(Rds On):10V,计算灵活的驱动电压选项便于集成电路设计。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA,可在较低的栅源电压下实现导通,适合低功耗应用。
  • 栅极电荷(Qg): 在10V下为6.8nC,提供快速开关特性,适应高频应用要求。
  • 额定功率耗散: 在25°C下最大为1.09W,温升情况下可达到1.66W,适合各种工作环境。
  • 工作温度范围: 从-55°C到150°C(TJ),保证了该器件在极端环境下的可靠性。
  • 高输入电容(Ciss): 190pF @ 30V的输入电容减少了在高速切换时的驱动负载。

3. 封装与安装

SI2308BDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装类型,这是一个设计紧凑、适合表面贴装(SMD)技术的封装,能够在空间限制严苛的应用中进行有效的布局。该封装形式具有良好的散热性能,能够提高器件的工作效率,尤其适合移动设备、便携式应用及其他对空间敏感的电子设备。

4. 应用领域

SI2308BDS-T1-GE3具有广泛的应用潜力,包括但不限于:

  • 电源管理: 作为DC-DC转换器的开关元件,提升转换效率。
  • 电机控制: 用于驱动直流电机及步进电机的高效控制。
  • 信号开关: 在开关电源、延迟电源和其他逻辑电路中作为开关。
  • LED驱动: 可以用作LED照明控制中的开关元件,实现柔性调光功能。

5. 结论

综合来看,SI2308BDS-T1-GE3是一款具备高可靠性和优良性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压处理能力和广泛的温度适应性,使其成为各种电源管理、驱动及开关应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子,还是工业控制领域,SI2308BDS-T1-GE3都能为设计师提供优越的性能与灵活性。