漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.3A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 156mΩ @ 1.9A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.8nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2308BDS-T1-GE3 是一款来自VISHAY(威世)的高性能N沟道MOSFET(场效应管),适用于多种电子应用。该器件采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有出色的热性能和高效的开关特性,提供了卓越的电源管理能力。凭借其最大漏源电压(Vdss)为60V和连续漏极电流(Id)为2.3A的能力,该MOSFET非常适合用于高压及中等电流的电源转换、电机驱动和信号开关等应用。
SI2308BDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装类型,这是一个设计紧凑、适合表面贴装(SMD)技术的封装,能够在空间限制严苛的应用中进行有效的布局。该封装形式具有良好的散热性能,能够提高器件的工作效率,尤其适合移动设备、便携式应用及其他对空间敏感的电子设备。
SI2308BDS-T1-GE3具有广泛的应用潜力,包括但不限于:
综合来看,SI2308BDS-T1-GE3是一款具备高可靠性和优良性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压处理能力和广泛的温度适应性,使其成为各种电源管理、驱动及开关应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子,还是工业控制领域,SI2308BDS-T1-GE3都能为设计师提供优越的性能与灵活性。