SI2303CDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W；2.3W 30V 2.7A 1个P沟道 SOT-23(TO-236)
库存 :
69092(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.57按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.57
--
200+
￥0.367
--
1500+
￥0.32
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2303CDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 190mΩ @ 1.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 1.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 155pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），2.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2303CDS-T1-GE3手册
SI2303CDS-T1-GE3概述
SI2303CDS-T1-GE3 产品概述
一、产品概述
SI2303CDS-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司推出的高性能P沟道MOSFET，能够在中低电压应用中提供优异的开关效率和高可靠性。该器件采用SOT-23-3（TO-236）封装，这种紧凑的表面贴装设计使得其适用于空间有限的电子设备。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）为2.7A，并具备低导通电阻（Rds(on)）的特点，适合用于各种需求包括电源管理、开关电源和负载开关等场合。
二、主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 最大达到30V，适用于低到中等电压的应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下能够提供高达2.7A的连续电流，支持较大的负载驱动。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 为3V @ 250µA，使其在较小的栅电压下便可以开启，有效降低功耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大为190mΩ @ 1.9A, 10V，确保在导通时降低能量损耗，提高系统效率。
- 最大功率耗散: 1W（Ta=25°C），在更高的结温条件下可达到2.3W（Tc）。这使得MOSFET在高负载条件下得以稳定运行。
- 工作温度范围: -55°C至150°C，广泛适应不同的环境条件，增强了其在工业和汽车电子等领域的可靠性。
三、应用场景
SI2303CDS-T1-GE3广泛适用于以下领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器和线性稳压器中，能够有效提升电源效率。
- 开关电源: 由于其快速的开关特性，该MOSFET特别适合用于高频开关损耗低的设计。
- 负载开关: 可作为开关元件用于驱动电机、灯光等负载，控制电源的切换。
- 电动车与充电设备: 在电池管理和充电电路中提供高效的功率转换。
四、设计注意事项
在设计中使用SI2303CDS-T1-GE3时，设计工程师应注意以下几点：
- 散热设计: 在高负载情况下，确保有足够的散热措施，以防止器件温度超出工作范围。
- 驱动电压选择: 栅极驱动电压应根据具体的应用需求进行选择，确保MOSFET的导通状态下能提供足够的电流。
- 电源设计: 考虑电源电压和电流的稳定性，避免因电流剧增导致的瞬时损失。
五、总结
SI2303CDS-T1-GE3是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和适应广泛工作环境的能力，在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是电源管理、开关电源还是负载开关，均能提供良好的性能，为相关电子产品的设计与开发提供强有力的支持。选择SI2303CDS-T1-GE3，意味着选择了高效率与高可靠性的保证。