SI2301BDS-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.041g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.2A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.964按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.964
--
200+
￥0.666
--
1500+
￥0.605
--
3000+
￥0.565
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2301BDS-T1-E3参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 375pF @ 6V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | FET 类型 | P 通道 |
| Vgs（最大值） | ±8V |
SI2301BDS-T1-E3手册
SI2301BDS-T1-E3概述
SI2301BDS-T1-E3 产品概述
产品简介
SI2301BDS-T1-E3 是一款来自 VISHAY（威世）的P沟道场效应管 (MOSFET)，其设计旨在为多种应用提供优异的电气性能。该器件采用SOT-23-3 (TO-236) 封装，是一款表面贴装型MOSFET，适合在空间受限的电路板上使用。它具有较低的导通电阻、高效的电能转换能力，以及广泛的工作温度范围，使其成为工业、消费电子以及汽车等众多领域的理想选择。
关键特性
电流和电压性能
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达20V，适用于中低压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 额定值为2.2A (Ta = 25°C)，提供可靠的电流承载能力。
导通电阻
- 在2.8A，Vgs为4.5V的条件下，最大导通电阻为100毫欧，确保低功耗和高效率的切换性能。这对于功率损耗敏感的应用尤为重要。
栅极控制
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)) 为950mV (在250µA时)，便于低电压控制的电路设计。
- 栅极电荷 (Qg) 最大值为10nC (在4.5V时)，高效的驱动要求使得其与现代微处理器和数字电路兼容性良好。
输入电容
- 不同Vds条件下的输入电容最大值为375pF (在6V时)，示出在高速开关应用中的有效性和性能稳定性。
功率耗散
- 最大功率耗散可达700mW（Ta），这使得该MOSFET能够在高负载条件下安全工作，适应电路的瞬时功率要求。
工作温度范围
- 工作温度范围宽广，达到-55°C至150°C，为在极端环境下的应用提供保障。
应用领域
SI2301BDS-T1-E3 MOSFET因其高效的开关能力和可靠的电性能，广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS): 可用于DC-DC转换器和逆变器中，有效提高整体能效。
- 负载开关: 可用于电源管理电路中，控制负载的通断。
- 电池管理系统: 适用于充电电路，实现更高的输入和输出效率。
- LED驱动器: 在LED照明应用中，提供优异的开关性能，确保亮度均匀。
- 汽车电子: 在车载系统中，尤其是功率管理及信号切换中发挥重要作用。
结论
总体而言，SI2301BDS-T1-E3是一款高效P沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和出色的表面贴装封装，适合多种电子电路应用。VISHAY作为一家知名的电子元器件制造商，其设计和工艺确保了该MOSFET的高可靠性和长期使用性能，是现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。在选择合适的MOSFET时，SI2301BDS-T1-E3无疑是一个值得推荐的选择，将为您的设计提供高效、可靠的解决方案。