SI1032R-T1-GE3
SI1032R-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 140mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .75nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75A |
SI1032R-T1-GE3手册
SI1032R-T1-GE3概述
产品概述：SI1032R-T1-GE3
概述
SI1032R-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 沟道 MOSFET（场效应管），具有卓越的性能和高效的功耗管理，特别适合于低电压和低功耗的应用。其在更广泛的电子设备中，对于开关和放大功能具有显著的优势，是现代电子设计中不可或缺的组件。
技术参数
漏源电压（Vdss）： SI1032R-T1-GE3 的漏源电压达到 20V，适合在中低电压环境下工作，使其能够应对多种电路配置。
连续漏极电流（Id）： 在 25°C 的环境下，此 MOSFET 支持高达 140mA 的连续漏极电流，使其在多个应用场景中具有可靠的导电能力。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 此器件的栅源电压阈值为 1.2V @ 250µA，意味着其在较低电压下便能实现导通，降低了驱动电路的复杂性和功耗需求。
漏源导通电阻（Rds(on)）： 在 200mA 和 4.5V 的条件下，其导通电阻为 5Ω，表明了其在导通状态下的效率，减少了能量损耗。
功率耗散： SI1032R-T1-GE3 的最大功率耗散为 250mW（在 25°C 环境下），使该器件在高负载条件下依然可以安全工作，适合设计散热方案较为紧凑的应用。
工作温度范围： 该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），这使得它在各种极端环境条件下依然可靠，在汽车电子、工业控制等领域具有广泛的应用潜力。
安装类型及封装： SI1032R-T1-GE3 采用表面贴装型 SC-75A 封装，具备较小的尺寸，方便在高密度电路板上使用，便于集成。
栅极电荷（Qg）： 在 4.5V 驱动电压下，器件的栅极电荷为 0.75nC，这意味着其开关速度较快，对于高频率的应用尤其重要。
Vgs（最大值）： 该 MOSFET 支持的最大栅源电压为 ±6V，增加了器件的灵活性，适合多种控制电路的设计需求。
应用场景
SI1032R-T1-GE3 特别适用于需要高效开关和放大的低电压、高频率电路，如：
电源管理： 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、功率放大器等电源管理系统，实现在低功耗运作时依然维持高效的反馈。
电机驱动： 适合用于步进电机和伺服电机的驱动电路，以实现精准的速度控制与位置控制。
传感器驱动： 在智能家居和工业自动化中，能够高效驱动各种传感器及负载，提升系统的整体效能。
开关电路： 作为开关元件，可以实现快速频繁的开关操作，广泛应用于数码产品和LED驱动电路。
汽车应用： 由于其极高的工作温度范围与可靠性，适合在汽车电子产品中使用，例如照明系统、动力分配系统等。
总结
SI1032R-T1-GE3 是一款高性能N沟道 MOSFET，以其良好的热性能、高效率和小巧的封装设计，提供了广泛的电气性能，适合多种应用环境。可作为现代电子产品中功能信号的核心器件，帮助设计师实现高效、可靠的电路解决方案。无论是在电源管理，还是电机驱动领域，SI1032R-T1-GE3 皆能发挥其出色的性能，为电子系统提供优质的解决方案。