S34ML02G200BHI000
S34ML02G200BHI000参数
| 存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | 闪存 - NAND | 存储容量 | 2Gb （256M x 8） |
| 存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字，页 | 25ns |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 63-BGA（11x9） |
S34ML02G200BHI000手册
S34ML02G200BHI000概述
产品概述：Cypress S34ML02G200BHI000 NAND Flash 存储器
一、产品简介
Cypress S34ML02G200BHI000 是一款高性能的 NAND Flash 存储器，具有2Gb（256M x 8）的存储容量。该产品采用闪存 - NAND技术，专为需要快速存取和高耐用性的应用而设计，尤其适合嵌入式系统、移动设备、工业控制、汽车电子以及消费类电子产品。
二、基本参数
- 存储器类型：非易失性存储器
- 存储器格式：闪存
- 技术：NAND Flash
- 存储容量：2Gb（256M x 8）
- 存储器接口：并联接口
- 写周期时间：25ns/字，页
- 供电电压：2.7V ~ 3.6V
- 工作温度范围：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装形式：63-VFBGA（11x9mm）
三、性能特点
高速读写能力： S34ML02G200BHI000 的写周期时间为25ns，使得数据的读写速度极为迅速，适合对性能有较高要求的应用环节。这尤其适合需要快速启动和高效率数据访问的嵌入式系统。
广泛的工作温度范围： 该存储器能够在-40°C ~ 85°C的广泛温度范围内稳定运行，适合汽车电子、工业设备等在极端环境下工作需求较高的应用。
非易失性存储： 作为一种非易失性存储器，S34ML02G200BHI000 即使在断电的情况下也能够保留数据，确保数据的安全性和可靠性。这也使其成为数据记录、存储和快速缓存等应用的理想选择。
小型封装设计： 采用63-VFBGA封装，公司设计使得S34ML02G200BHI000 在空间有限的应用场合（如移动设备或紧凑型电子设备）中功能强大而不会花费太多空间。
四、应用场景
消费电子产品： 在智能手机、平板电脑和其他便携设备中，S34ML02G200BHI000 能够快速存取应用程序和操作系统数据，提高用户体验。
工业控制系统： 利用其高可靠性和宽温工作范围，Cypress S34ML02G200BHI000 可用于各种工业设备的控制系统中，确保关键数据的存储和操作稳定性。
汽车电子： 由于其耐高温和高耐用性，适合用于汽车娱乐系统、导航系统和传感器数据存储等场合，在保证性能的同时，也确保了安全性。
医疗设备： 在医疗电子设备中，例如监测仪器和诊断工具，要求高度的数据可靠性和快速的数据处理能力，S34ML02G200BHI000 能够满足这些需求。
五、总结
Cypress S34ML02G200BHI000 NAND Flash 存储器以其卓越的性能、可靠性和多样化的应用场景，适合全球范围内各类电子产品的设计选型。无论在消费类电子、工业自动化、汽车电子或医疗设备中，均展现出其强大的适应性和性能优势。选择S34ML02G200BHI000，意味着选择了一个高效、可靠且经济的存储解决方案。