存储器构架(格式) | FLASH | 存储器接口类型 | Parallel |
存储器容量 | 2Gb (256M x 8) | 工作电压 | 2.7V ~ 3.6V |
存储器类型 | Non-Volatile | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | 闪存 - NAND | 存储容量 | 2Gb (256M x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 25ns |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 48-TSOP I |
S34ML02G100TFI000是一款由Cypress(赛普拉斯)制造的高性能非易失性闪存存储器,采用NAND闪存技术,以其高效的存储性能和可靠性广泛应用于各种电子设备中。该芯片的存储容量为2Gb(即256M x 8位),适合需要高密度存储解决方案的现代电子产品。
S34ML02G100TFI000非常适合广泛的应用领域,包括但不限于:
作为一款来自Cypress的闪存存储器,S34ML02G100TFI000在性能上具备以下优势:
S34ML02G100TFI000不仅技术领先,适用范围广泛,且在速度、可靠性和环境适应性等多个方面都表现出色,是当今市场上不可多得的优质非易失性存储器选择。无论是在高性能计算、汽车电子、消费电子还是工业设备中,Cypress的这一产品都展现了其独特的技术优势与应用潜力,为客户提供了有效的存储解决方案。