封装/外壳 | DO-214AA,SMB | 反向耐压VR(最大值) | 400V |
平均整流电流IF | 1.5A | 正向压降VF | 1.15V@1.5A |
反向漏电流IR | 1µA@400V | 反向恢复时间(trr) | 2µs |
速度 | 标准恢复>500ns,>200mA(Io) | 二极管类型 | 标准 |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 400V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1.5A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.15V @ 1.5A | 反向恢复时间 (trr) | 2µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 16pF @ 4V,1MHz |
供应商器件封装 | DO-214AA(SMB) | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
S2GHE3_A/I是由威世(VISHAY)制造的一款高性能二极管,采用DO-214AA(SMB)封装格式。这款二极管专为具有高反向耐压和优秀整流性能的应用而设计,广泛应用于电源管理、整流电路、逆变器和其他需要有效电流处理的电子系统中。
S2GHE3_A/I二极管适用于多种应用,包括:
为工程师和设计师提供了一种可靠、高效且多功能的解决方案,S2GHE3_A/I的高反向耐压和优异的整流性能,使其在现代电子设计中占据重要地位。威世(VISHAY)凭借其高可靠性和创新技术,为您提供了这种能在多种应用中稳定工作的标准二极管,符合当前电子技术的发展趋势。其出色的性能参数及宽广的应用领域保证了用户的设计方案可以达到性能和效率的最佳平衡,为现代电子设备的设计添砖加瓦。