反向恢复时间(trr) | 500ns | 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.3V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 500ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | SMB | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
RS1MB-13-F 是一款高性能、快速恢复二极管,专为满足高电压和大电流应用的需求而设计。它具备多项优良特性,使其成为各种电子设备中不可或缺的重要元件。以下是该产品的详细参数和应用场景的全面介绍。
高电压承受能力: RS1MB-13-F 具有高达1kV的直流反向耐压,这使得它能够在需要处理高电压的场合中可靠工作,如高压电源或工业设备。这种特性对于电气绝缘和安全性至关重要,确保器件在极端条件下依然能够稳定运行。
快速恢复特性: 该器件的反向恢复时间为500纳秒,使其能够有效地抑制反向电流的上升,减少开关损失,因而特别适合用于开关电源和其他高频应用。快速恢复特性意味着它在切换时能够迅速转变,减少能量损耗,提高整体效率。
低正向压降: RS1MB-13-F 在1A条件下的正向压降仅为1.3V,这一特性在高流量应用中极为重要,因为较低的正向压降能够减少热量产生,提高系统的能效和稳定性,并延长设备的使用寿命。
极低的反向漏电流: 该二极管在高达1000V的反向电压条件下,其反向泄漏电流低至5µA,这表明在高电压下的能量损耗极为微小,有助于提高电源效率。
适应高温环境: RS1MB-13-F 的工作温度范围为-65°C 到 150°C,表明该器件能够在极端温环境下工作而不失去性能。这使得其在航空航天、汽车电子以及工业设备等苛刻环境下都有广泛的应用前景。
由于其优越的性能,RS1MB-13-F 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
RS1MB-13-F 是一款高效、高可靠性的快速恢复二极管,凭借其优秀的电气性能和宽广的工作温度范围,使其在不同应用场景中具有广泛应用价值。作为 DIODES(美台)的一款明星产品,RS1MB-13-F 不仅满足现代电子设备在功率和效率上的严格要求,也为设计工程师提供了理想的解决方案。随着电子技术的不断进步,RS1MB-13-F 的市场需求预计将在未来持续增长。