二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 20V |
电流 - 平均整流 (Io) | 500mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 530mV @ 500mA |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 150µA @ 20V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2-UDFN |
供应商器件封装 | VML2 | 工作温度 - 结 | 125°C |
产品名称:RBE05AS20AT2R
品牌:ROHM(罗姆)
封装类型:2-UDFN
器件封装:VML2
一、基本信息
RBE05AS20AT2R是一款高性能的肖特基整流二极管,专为高效能电源管理与整流应用而设计。该器件具有优异的正向电流处理能力和低反向电压特性,适用于需要快速开关与低正向压降的应用场景。它的主要参数包括最大反向电压(Vr)为20V,额定平均整流电流(Io)为500mA,并且在500mA电流下正向压降(Vf)为530mV。
二、功能特性
电压和电流参数:RBE05AS20AT2R的最大反向电压为20V,能够有效防止在逆向工作时的电击穿。其稳定的顶端工作条件使得该器件在许多边缘条件下都能稳定运行。此外,其额定的平均整流电流达500mA,适合在各种小功率电源应用中使用。
低正向压降:该二极管在500mA电流下的正向压降为530mV,与传统的硅二极管相比,有效的降低了功率损耗,提升了整体电源转换效率。这使得RBE05AS20AT2R在电源模块、DC-DC转换器和其他需要高效能整流的应用中极具优势。
快速恢复特性:该器件具有优异的开关特性,其恢复时间小于500纳秒,这使其非常适用于高频开关电源和脉冲电源应用。快速的响应性能进一步提升了电源的整体工作效率,尤其在高频工作环境下表现卓越。
低反向泄漏电流:在20V的逆向电压下,该器件的反向泄漏电流仅为150µA,这意味着在不工作状态下的功耗极低,进一步提高了其应用的经济效益。
宽工作温度范围:RBE05AS20AT2R具有高达125°C的结温工作能力,使其能够在各种极端环境下正常运行,适应现代电子设备对温度的严格要求。
三、应用领域
RBE05AS20AT2R适用于多种电子应用场合,如下所示:
四、总结
总之,RBE05AS20AT2R是一款多功能、高效能的肖特基整流二极管,以其优异的电气性能和广泛的应用潜力,在现代电子产品中扮演着越来越重要的角色。其低正向压降、快速恢复时间和低反向泄漏电流,使其成为一种理想的选择,能够满足当今不断增长的电子市场对高效率和高可靠性的需求。选择RBE05AS20AT2R将是优化电源管理策略和提升整体系统性能的有效途径。