RB886GT2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RB886GT2R

商品编码: BM0000285420
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMD2
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
肖特基二极管 350mV@1mA 5V 10mA SOD-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.459
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.459
--
500+
¥0.305
--
4000+
¥0.266
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

RB886GT2R参数

直流反向耐压(Vr)5V平均整流电流(Io)10mA
正向压降(Vf)350mV @ 1mA二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)5V电流 - 平均整流 (Io)10mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)350mV @ 1mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏120µA @ 5V不同 Vr、F 时电容0.8pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳2-SMD,扁平引线
供应商器件封装VMD2工作温度 - 结125°C(最大)

RB886GT2R手册

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无数据

RB886GT2R概述

产品概述:RB886GT2R 肖特基二极管

一、引言

RB886GT2R是一款高性能肖特基二极管,由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)推出。该二极管被广泛应用于各种电子设备中,尤其适合需要低正向压降和快速开关特性的电路设计。其特定的电气特性以及优良的热稳定性使其在现代电子工程中具备重要的应用价值。

二、基本参数

  1. 直流反向耐压(Vr):RB886GT2R的最大反向耐压为5V,足以满足大多数低压电源电路及信号处理应用的需求。
  2. 平均整流电流(Io):平均整流电流为10mA,适用于低电流电子应用,如小信号处理及轻负载的电源整流。
  3. 正向压降(Vf):在1mA的工作条件下,正向压降仅为350mV。这一较低的正向压降能够提高电路的能效,减少功耗,非常适合移动设备及便携式电子产品。
  4. 反向泄漏电流:在5V反向电压下,反向泄漏电流仅为120μA,显示出该二极管良好的封装和材料选择,有助于提升电路的可靠性和效率。

三、特性参数

  1. 速度特性:RB886GT2R属于小信号二极管,适合在高频条件下操作,其最大工作电流可达200mA,能够满足多种高频信号传输及整流的需求。
  2. 电容特性:在1V和1MHz频率下,其电容值为0.8pF,表明其具有较小的寄生电容,能够有效抑制高频噪声,提高信号完整性。
  3. 工作温度范围:RB886GT2R的结温工作范围为最高125°C,使其在高温环境下也能稳定工作,这对高功率电路和车载电子设备尤为重要。

四、封装与安装

RB886GT2R采用表面贴装型封装,符合VMD2标准(SOD-723)设计,便于自动化生产及小型化设计。这样的封装方式不仅节省空间,还降低了因焊接和组装造成的可靠性风险。此外,VMD2封装的设计有效地散热,使得RB886GT2R在高负荷工作情况下依然能够保持良好的性能。

五、应用领域

RB886GT2R广泛应用于:

  • 电源管理:在开关电源、低功耗模块、DC-DC转换器等电源管理电路中,确保高效整流和低损耗。
  • 信号整流:在音频、射频及视频信号的整流及保护中,其较低的正向压降可优化信号处理性能。
  • 保护电路:广泛应用于过压、过流保护电路,利用其低反向泄漏特性,确保电路的长期稳定性与安全性。
  • 移动设备:在智能手机、平板电脑等高集成度产品中,具有节能、快速充电等特点。

六、总结

RB886GT2R型号肖特基二极管凭借其低正向压降、良好的反向泄漏表现和高温工作能力,成为电子产品设计中不可或缺的元件之一。无论是在电源管理、信号整流还是电路保护方面,其卓越的性能和ROHM品牌的可靠性均使其成为众多工程师优选的电子元器件。通过在高频和高温条件下的优异表现,RB886GT2R为现代电子设计的创新与发展提供了坚实的基础。