晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMH13,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的数字晶体管,它采用 SOT-363 封装形式,具有高性能的双 NPN 预偏压式结构。本产品的设计旨在满足多种电子应用需求,尤其适用于需要高密度集成和小型化的电路设计。其主要特点包括低功耗、高增益和高线性度,适合在音频放大、开关电路以及信号传输等多种场合中发挥作用。
PUMH13,115 内部结构紧凑,由两个 NPN 晶体管组成,允许它在较小的空间内实现双输入环境。预偏压特性简化了驱动电路的设计,因而在实现逻辑控制时,可以更好地降低输入信号对电源的影响。高达 100mA 的最大集电极电流和 50V 的击穿电压使其在各种负载条件下均能保持稳定的工作状态。
该产品的电流增益(hFE)为 100,意味着在不同条件下,即使在 10mA 的集电极电流下,仍可实现较高的增益,这对于信号放大及开关电路应用尤为重要。此外,饱和压降小于 100mV 的特性保证了其在开关状态时可有效减少功耗,提高整体电路的效率。
PUMH13,115 的多功能性使其适用于多种场景,包括但不限于:
PUMH13,115 采用 6-TSSOP(SOT-363)封装,优势在于其紧凑的尺寸设计能够满足现代电子产品对空间利用的高要求。这种表面贴装(SMD)设计使其易于在自动化生产线上进行高速组装,显著提高了生产效率。
总体而言,PUMH13,115 是一款性能稳定、应用广泛的数字晶体管。其良好的电气特性、低功耗和高增益特性使其成为现代电子电路设计中的理想选择。无论是在音频放大、开关控制还是其它信号处理应用中,PUMH13,115 均能提供可靠的解决方案,帮助设计师在紧张的产品开发时间内高效且成功地实现所需功能。选择 PUMH13,115,您将能够欣赏到 Nexperia 背后所提供的卓越质量和性能。