晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 230MHz |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
概述 PUMD10,115 是一种高度集成的预偏压式数字晶体管,采用 SOT-363 封装。该器件内部集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中。其最大集电极电流(Ic)可达 100mA,集射极击穿电压(Vce)为 50V,额定功率为 300mW,使其能够适应不同负载条件下的工作需求。
技术参数
封装规格 PUMD10,115 采用业界标准的 SOT-363 封装。这种封装非常适合表面贴装技术 (SMT),占用空间小,便于自动化组装,特别适合现代小型电子设备。SOT-363 封装拥有 6 个引脚,使其在确保足够功能的同时,保持了良好的散热性能。
应用场景 PUMD10,115 的设计使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
品牌与供应 PUMD10,115 由安世半导体(Nexperia)制作,安世是一家全球领先的电子元件制造商,以其创新的产品和卓越的服务受到广泛认可。Nexperia 提供全面的技术支持和可靠的供应链,确保客户能够获得优质的产品,满足其设计需求。
总结 PUMD10,115 是一种设计优化的数字晶体管,结合了双极结构、强大的电气性能和紧凑的封装,是现代电子设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是通讯领域,该器件均能够提供可靠的解决方案。通过利用其高集电极电流能力和出色的增益特性,工程师可以为各种应用设计出高效、可靠的电路,提高最终产品的市场竞争力。