PUMD10,115 产品实物图片
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PUMD10,115

商品编码: BM0000285411
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
0.027g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
44469(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.766
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.766
--
200+
¥0.255
--
1500+
¥0.159
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMD10,115参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V额定功率300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)频率 - 跃迁230MHz
功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装6-TSSOP

PUMD10,115手册

PUMD10,115概述

产品概述:PUMD10,115 数字晶体管

概述 PUMD10,115 是一种高度集成的预偏压式数字晶体管,采用 SOT-363 封装。该器件内部集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中。其最大集电极电流(Ic)可达 100mA,集射极击穿电压(Vce)为 50V,额定功率为 300mW,使其能够适应不同负载条件下的工作需求。

技术参数

  • 晶体管类型:双极性 (双) 晶体管结构,包括 1 个 NPN 和 1 个 PNP 结构,适合高速开关和线性放大应用。
  • 集电极电流 (Ic):最大 100mA,能满足大多数中小功率应用的需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 50V,提供了良好的过压保护,适用于高电压应用场景。
  • 额定功率:300mW,适合低功耗设计,能够有效减少功耗和发热量。
  • 直流电流增益 (hFE):在 10mA 和 5V 条件下,最小值为 100,确保良好的放大效应和信号增强。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 250µA 和 5mA 条件下最大的饱和压降仅为 100mV,实现低功耗特性。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,具有优异的关断性能,保障电路在非工作状态下的低漏电流。
  • 跃迁频率:能够实现高达 230MHz 的频率响应,适用于高速数字电路和信号处理应用。

封装规格 PUMD10,115 采用业界标准的 SOT-363 封装。这种封装非常适合表面贴装技术 (SMT),占用空间小,便于自动化组装,特别适合现代小型电子设备。SOT-363 封装拥有 6 个引脚,使其在确保足够功能的同时,保持了良好的散热性能。

应用场景 PUMD10,115 的设计使其适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 数码电路:用于开关和信号处理。由于其低饱和压降和高电流增益,使得该晶体管在数字电路中的表现尤为突出。
  • 音频放大器:在音频信号处理领域,PUMD10,115 可以用作信号放大器,保障音质的清晰和稳定。
  • 小型电机驱动:适合在小型电机驱动电路中使用,能够提供必要的驱动电流,有效驱动负载。
  • 传感器接口:在传感器输出信号处理过程中,作为接口电路的核心元件,提升信号质量。

品牌与供应 PUMD10,115 由安世半导体(Nexperia)制作,安世是一家全球领先的电子元件制造商,以其创新的产品和卓越的服务受到广泛认可。Nexperia 提供全面的技术支持和可靠的供应链,确保客户能够获得优质的产品,满足其设计需求。

总结 PUMD10,115 是一种设计优化的数字晶体管,结合了双极结构、强大的电气性能和紧凑的封装,是现代电子设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是通讯领域,该器件均能够提供可靠的解决方案。通过利用其高集电极电流能力和出色的增益特性,工程师可以为各种应用设计出高效、可靠的电路,提高最终产品的市场竞争力。