安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 功率 - 最大值 | 1W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 320mV @ 200mA,2A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1A,2V |
PBSS5250X,115 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能PNP型晶体管,采用SOT-89-3封装,专为表面贴装应用而设计。这款晶体管在电路设计中表现出色,可用于各种功率放大和开关应用。其独特的技术规格使其成为现代电子设备的理想选择。
高功率处理能力
PBSS5250X,115的最大功率可达1W,能够承受高达2A的集电极电流,非常适合高负载的应用。此特性使得该器件在电源管理和信号处理领域表现优异。
高击穿电压
该产品的集射极击穿电压最大值可达到50V,确保了在高电压环境中的可靠运行,尤其适合于电源电路和高压开关机构。
低饱和压降
在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,VCE饱和压降最高为320mV(在200mA和2A情况下),这意味着在高电流操作下,器件能够维持较低的功耗,提升整体能效和工作温度的稳定性。
优越的增益特性
PBSS5250X,115的直流电流增益(hFE)最小值为200(在1A和2V时测得),使得该晶体管在放大信号时具备非常高的增益特性。这一点对于音频放大、射频应用等领域尤为重要。
广泛的工作温度范围
此款晶体管能够在高达150°C的工作环境下正常运作,适用于对温度敏感的工业和汽车电子应用。
高频性能
尽管大多数BJT在高频操作上存在限制,PBSS5250X,115的跃迁频率达到了100MHz,使其在高频开关应用中表现稳健。
PBSS5250X,115能够广泛应用于以下领域:
PBSS5250X,115是Nexperia公司设计的一款高效、可靠且灵活的PNP型晶体管,其在防护性能、增益特性及功率处理能力上的表现,使得它在各类电子应用中都能展现出卓越的性能。无论是在音频、开关电源还是高频应用中,PBSS5250X,115 都将成为产品设计师们不可或缺的优秀选择。选择PBSS5250X,115,您将能在现代电子设计中开启更多、更具创新性的可能性。