PBSS5250X,115 产品实物图片
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PBSS5250X,115

商品编码: BM0000285383
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
0.076g
描述 : 
三极管(BJT) 1W 50V 2A PNP SOT-89-3
库存 :
17(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.3
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.3
--
50+
¥0.65
--
1000+
¥0.565
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBSS5250X,115参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA工作温度150°C(TJ)
频率 - 跃迁100MHz功率 - 最大值1W
电压 - 集射极击穿(最大值)50V晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)320mV @ 200mA,2A不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 1A,2V

PBSS5250X,115手册

PBSS5250X,115概述

产品概述: PBSS5250X,115

一、基本介绍

PBSS5250X,115 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能PNP型晶体管,采用SOT-89-3封装,专为表面贴装应用而设计。这款晶体管在电路设计中表现出色,可用于各种功率放大和开关应用。其独特的技术规格使其成为现代电子设备的理想选择。

二、主要特点

  1. 高功率处理能力
    PBSS5250X,115的最大功率可达1W,能够承受高达2A的集电极电流,非常适合高负载的应用。此特性使得该器件在电源管理和信号处理领域表现优异。

  2. 高击穿电压
    该产品的集射极击穿电压最大值可达到50V,确保了在高电压环境中的可靠运行,尤其适合于电源电路和高压开关机构。

  3. 低饱和压降
    在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,VCE饱和压降最高为320mV(在200mA和2A情况下),这意味着在高电流操作下,器件能够维持较低的功耗,提升整体能效和工作温度的稳定性。

  4. 优越的增益特性
    PBSS5250X,115的直流电流增益(hFE)最小值为200(在1A和2V时测得),使得该晶体管在放大信号时具备非常高的增益特性。这一点对于音频放大、射频应用等领域尤为重要。

  5. 广泛的工作温度范围
    此款晶体管能够在高达150°C的工作环境下正常运作,适用于对温度敏感的工业和汽车电子应用。

  6. 高频性能
    尽管大多数BJT在高频操作上存在限制,PBSS5250X,115的跃迁频率达到了100MHz,使其在高频开关应用中表现稳健。

三、应用领域

PBSS5250X,115能够广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:可作为开关元件,控制电流流过不同的负载,提升电源转换效率。
  • 音频放大器:高增益和工作稳定性使其成为高保真音响系统中的优选元件。
  • RF 和微波电路:其高频特性使其适用于无线电和微波电路,从而满足通信行业的需求。
  • 汽车电子:在极端环境下的可靠性使其非常适合汽车电子控制模块。

四、结论

PBSS5250X,115是Nexperia公司设计的一款高效、可靠且灵活的PNP型晶体管,其在防护性能、增益特性及功率处理能力上的表现,使得它在各类电子应用中都能展现出卓越的性能。无论是在音频、开关电源还是高频应用中,PBSS5250X,115 都将成为产品设计师们不可或缺的优秀选择。选择PBSS5250X,115,您将能在现代电子设计中开启更多、更具创新性的可能性。