PBHV8215Z,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PBHV8215Z,115

商品编码: BM0000285380
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.136g
描述 : 
三极管(BJT) 1.45W 150V 2A NPN SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.76
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.76
--
50+
¥1.36
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBHV8215Z,115参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic2A
集射极击穿电压Vce150V额定功率1.45W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)280mV @ 400mA,2A电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,10V功率 - 最大值1.45W
频率 - 跃迁33MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

PBHV8215Z,115手册

PBHV8215Z,115概述

产品概述:PBHV8215Z,115

PBHV8215Z,115是一款高性能的NPN型晶体管,符合现代电子设备对于高效率和高稳定性的需求。该器件具备杰出的电气特性和可靠的工作性能,适用于各种应用场景,包括开关电路和放大电路,以及需要较高电流和电压的设备。

1. 基本参数

PBHV8215Z,115的电气特性相当突出。它的集电极电流(Ic)最大值为2A,能够满足高负载需求的电路设计。该晶体管的集射极击穿电压(Vce)高达150V,使其能够稳定工作于高电压环境下。此外,PBHV8215Z,115的额定功率为1.45W,提供了充足的功率支持,确保在实际应用中不会因功率限制而产生故障。

2. 饱和压降与增益特性

在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,该器件在400mA和2A时的Vce饱和压降最大值为280mV。这一特性使得PBHV8215Z,115在开关应用中具备极低的功耗,提升了整体电路的能效。

此外,该晶体管在1A和10V条件下的直流电流增益(hFE)最小值达到100,这表示它具备良好的放大性能。该高增益使得PBHV8215Z,115在作为信号放大器和驱动器的应用中,能有效降低输入信号的需求,从而简化电路设计。

3. 工作环境与封装

PBHV8215Z,115的工作温度范围高达150°C,确保了其在高温环境中的可靠操作。这种特性使得该元器件十分适合高温应用,如汽车电子及工业控制等领域。

该晶体管采用TO-261-4封装(也可兼容SOT-223封装),这种小型表面贴装型设计使得PBHV8215Z,115在电路板上的占用空间较小,有助于实现更高的集成度和更紧凑的产品设计。

4. 应用场景

鉴于其优越的电气性能和可靠的工作特性,PBHV8215Z,115广泛应用于多个领域:

  • 消费电子:如电源开关、音频放大器和信号处理电路。
  • 汽车电子:在汽车电控单元及驱动电路中,具备耐高温和抗干扰的特性尤为重要。
  • 工业控制:在机器人控制、传感器和执行器驱动中,有稳定的电流和高电压性能是关键。

5. 供应商与保障

PBHV8215Z,115由Nexperia(安世半导体)生产,Nexperia以其先进的制造工艺和严格的质量控制而闻名,确保该晶体管在出厂时具备一致的性能和高可靠性。在产品设计时,设计师可以充分依赖PBHV8215Z,115的规格,降低因元器件失效而导致的系统异常风险。

结论

PBHV8215Z,115是一款高效、稳定的NPN型晶体管,凭借其出色的电气特性和优良的工作温度范围,成为了众多电子设计中的首选器件。无论是在高性能消费电子产品中,还是在要求严苛的工业应用中,PBHV8215Z,115都能够满足设计师对性能和可靠性的高标准。选择PBHV8215Z,115,即意味着选择了一款值得信赖的电子元器件。