晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 150V | 额定功率 | 1.45W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 280mV @ 400mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,10V | 功率 - 最大值 | 1.45W |
频率 - 跃迁 | 33MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
PBHV8215Z,115是一款高性能的NPN型晶体管,符合现代电子设备对于高效率和高稳定性的需求。该器件具备杰出的电气特性和可靠的工作性能,适用于各种应用场景,包括开关电路和放大电路,以及需要较高电流和电压的设备。
PBHV8215Z,115的电气特性相当突出。它的集电极电流(Ic)最大值为2A,能够满足高负载需求的电路设计。该晶体管的集射极击穿电压(Vce)高达150V,使其能够稳定工作于高电压环境下。此外,PBHV8215Z,115的额定功率为1.45W,提供了充足的功率支持,确保在实际应用中不会因功率限制而产生故障。
在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,该器件在400mA和2A时的Vce饱和压降最大值为280mV。这一特性使得PBHV8215Z,115在开关应用中具备极低的功耗,提升了整体电路的能效。
此外,该晶体管在1A和10V条件下的直流电流增益(hFE)最小值达到100,这表示它具备良好的放大性能。该高增益使得PBHV8215Z,115在作为信号放大器和驱动器的应用中,能有效降低输入信号的需求,从而简化电路设计。
PBHV8215Z,115的工作温度范围高达150°C,确保了其在高温环境中的可靠操作。这种特性使得该元器件十分适合高温应用,如汽车电子及工业控制等领域。
该晶体管采用TO-261-4封装(也可兼容SOT-223封装),这种小型表面贴装型设计使得PBHV8215Z,115在电路板上的占用空间较小,有助于实现更高的集成度和更紧凑的产品设计。
鉴于其优越的电气性能和可靠的工作特性,PBHV8215Z,115广泛应用于多个领域:
PBHV8215Z,115由Nexperia(安世半导体)生产,Nexperia以其先进的制造工艺和严格的质量控制而闻名,确保该晶体管在出厂时具备一致的性能和高可靠性。在产品设计时,设计师可以充分依赖PBHV8215Z,115的规格,降低因元器件失效而导致的系统异常风险。
PBHV8215Z,115是一款高效、稳定的NPN型晶体管,凭借其出色的电气特性和优良的工作温度范围,成为了众多电子设计中的首选器件。无论是在高性能消费电子产品中,还是在要求严苛的工业应用中,PBHV8215Z,115都能够满足设计师对性能和可靠性的高标准。选择PBHV8215Z,115,即意味着选择了一款值得信赖的电子元器件。