额定功率 | 1.2W | 集射极击穿电压Vce | 100V |
集电极电流Ic | 3A | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 400mA,4A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 1.2W |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
ZXTP2029FTA 是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),其额定功率为1.2W,具有较高的集射极击穿电压(Vce)及集电极电流(Ic)能力,分别为100V和3A。这款晶体管主要用于高频信号放大、开关应用及线性放大器等场景,非常适合在表面贴装(SMD)技术下使用,特别是在现代电子设计中,其小型化封装有助于节省电路板空间。
电气性能:
增益特性:
频率特性:
热特性:
封装和安装:
ZXTP2029FTA 适用于多个领域,包括但不限于:
ZXTP2029FTA 是一款具备高电压、高电流及高频特性的PNP晶体管,充分满足现代电子设备在性能和尺寸上的要求。其良好的工作温度范围及低饱和压降特性,不仅提高了电路的效率,降低了热量产生,更增强了设备的耐用性和可靠性。凭借其广泛的应用领域,ZXTP2029FTA能够为各种电子设计提供强有力的支持,是电子工程师在选择元件时的一种理想选择。