注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
ZVP2106ASTZ
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
EP3SC
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 280mA 1个P沟道 TO-92-3
库存 :
4724(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.69按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.69
--
100+
￥2.07
--
1000+
￥1.8
--
2000+
￥1.7
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20000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVP2106ASTZ参数
| 安装类型 | 通孔 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280mA（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 18V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
ZVP2106ASTZ手册
ZVP2106ASTZ概述
产品概述：ZVP2106ASTZ MOSFET (P通道)
概述
ZVP2106ASTZ是由DIODES（美台）出品的一款高性能P通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其在功率电子、开关电源以及各种电源管理应用中具有广泛的应用潜力。以其极低的导通电阻和优异的热特性，该器件能够在各种工作环境中提供稳定的性能。
主要特性
- 导通电阻（Rds On）: 在Vgs为10V、Id为500mA的条件下，最大导通电阻仅为5Ω，保证了在开关过程中低功耗和高效率。
- 电流能力: ZVP2106ASTZ可在25°C环境下支持最大280mA的连续漏极电流（Id），为多种应用提供了充足的驱动力。
- 耐压性能: 器件的漏源电压（Vdss）高达60V，使得ZVP2106ASTZ能够在许多高压应用中保持可靠性。
- 工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合在极端环境条件下工作。
- 栅极源极电压: Vgs（最大值）为±20V，提供了较高的栅极控制电压，与大多数控制电路兼容。
- 输入 capacitance (Ciss): 最大输入电容为100pF（在18V时测量），使得其在快速开关操作中的表现相当优秀。
封装和安装
ZVP2106ASTZ采用封装类型EP3SC，安装方式为通孔。这种设计方便PCB的插装和电路设计，适合各种电子产品的设计需求。
应用领域
- 电源管理: 可用于各种开关电源设计，包括DC-DC转换器等，帮助优化能量效率。
- 电机驱动: 适用于电机控制和驱动电路中，通过MOSFET实现高效的电流控制。
- 信号开关: 由于其低导通电阻，ZVP2106ASTZ非常适合用作开关电路，切换信号或电源供给。
- 电池管理系统: 在电池管理和充电器应用中，MOSFET的高效率和耐压特性确保设备稳定和安全运行。
性能优势
ZVP2106ASTZ凭借其出色的电气性能，如低开关损耗和高可靠性，成为许多工程师首选的MOSFET元件之一。它不仅提高了设备的效率，还延长了设备的使用寿命。此外，极小的功耗意味着在持续高负载下产生的热量可以大大降低，简化了散热设计。
总结
作为一款高效能的P通道MOSFET，ZVP2106ASTZ充分展示了金属氧化物半导体技术在功率管理和控制领域的优势。其卓越的性能符合多种电源和驱动应用的需求，是电子产品设计中不可或缺的基础元件之一。无论是电源转换器、信号开关，还是自动控制系统，ZVP2106ASTZ均可提供可靠的解决方案，帮助设计师实现系统的高效率和高稳定性。