晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 额定功率 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA06-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为各类电子应用设计,尤其是在高频和低功耗设备中表现卓越。该器件具有较高的集电极电流 (Ic) 容量、优越的电压特性及低饱和压降,适合开发高效能的电子电路。其主要参数和特性如下所述。
选择 MMSTA06-7-F 的原因在于其综合性能优势,特别是在功耗、频率响应和工作温度范围的投资回报比,使其在市场上具备较强的竞争力。DIODES(美台)的品牌信誉和品质保证为最终用户提供了额外的保障。
MMSTA06-7-F 是一款出色的 NPN 晶体管,结合了高性能的电气特性、优良的环境适应性与便捷的封装形式,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。它的广泛应用前景及优越的性能,尤其在高频和高效能需求的场合,使其成为工程师和设计师的理想选择。