MMSTA06-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMSTA06-7-F

商品编码: BM0000285257
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 80V 500mA NPN SOT-323-3
库存 :
1443(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
200+
¥0.338
--
1500+
¥0.294
--
3000+
¥0.26
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMSTA06-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce80V额定功率200mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,1V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

MMSTA06-7-F手册

MMSTA06-7-F概述

产品概述: MMSTA06-7-F

MMSTA06-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为各类电子应用设计,尤其是在高频和低功耗设备中表现卓越。该器件具有较高的集电极电流 (Ic) 容量、优越的电压特性及低饱和压降,适合开发高效能的电子电路。其主要参数和特性如下所述。

1. 基本特性

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 80V
  • 额定功率: 200mW
  • 最大饱和压降 (Vce): 在 Ic 为 10mA 和 100mA 时,最大值为 250mV。这一低饱和压降特性使 MMSTA06-7-F 能够在开关电源和音频信号放大电路中发挥重要作用。
  • 截止电流 (Ic cutoff): 100nA,极低的截止电流有利于提高设备的整体可控性和降低功耗。
  • 直接电流增益 (hFE): 在 Ic 为 100mA 和 Vce 为 1V 时,最小值可达到 100,说明在正常工作条件下,其放大倍数显著,适合用于增益需求较高的应用场景。

2. 频率特性

  • 频率 - 跃迁: 高达 100MHz,此特性使得该晶体管非常适合用于 RF 应用及其他高速信号处理,确保信号不会因频率偏高而失真或衰减。

3. 温度和环境适应性

  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的专用高温工作范围,确保在恶劣的环境条件下也能稳定工作。这种宽温度范围对航空航天、汽车电子等高要求领域尤为重要。

4. 安装和封装

  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  • 封装/外壳: SC-70/SOT-323,这种封装形式提供了较小的占用空间,有利于降低电路板的整体尺寸,同时便于自动化生产。

5. 应用场景

  • 开关电源: 由于其低饱和压降和快速开关能力,MMSTA06-7-F 是高效开关电源的理想选择。
  • 放大电路: 适用于音频放大器和信号调节电路,因其具备较高的增益特性。
  • 模式切换电路: 可用于控制电流切换,实现智能设备的自动化控制。
  • RF 放大器: 频率较高的跃迁特性使其成为射频放大和信号处理的优质选择,广泛用于通信和传感器应用。

6. 竞争优势

选择 MMSTA06-7-F 的原因在于其综合性能优势,特别是在功耗、频率响应和工作温度范围的投资回报比,使其在市场上具备较强的竞争力。DIODES(美台)的品牌信誉和品质保证为最终用户提供了额外的保障。

7. 结论

MMSTA06-7-F 是一款出色的 NPN 晶体管,结合了高性能的电气特性、优良的环境适应性与便捷的封装形式,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。它的广泛应用前景及优越的性能,尤其在高频和高效能需求的场合,使其成为工程师和设计师的理想选择。