晶体管类型 | 2 PNP(双) | 集电极电流Ic | 200mA |
集射极击穿电压Vce | 150V | 额定功率 | 200mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
MMDT5401-7-F 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),专为各种电子应用设计,尤其是需要处理较高电流和电压的场合。该器件由 DIODES (美台) 生产,在多个领域均有广泛应用,包括但不限于音频放大器、开关电源、线性调节器和其他信号放大电路。
晶体管类型: MMDT5401-7-F 属于 PNP 型双极性晶体管,适用于许多需要信号放大的应用。作为双晶体管,该器件集成了两个晶体管,能够在相同的封装中提供更多的功能。
电气特性:
增益特性: MMDT5401-7-F 的直流电流增益 (hFE) 在 10mA、5V 时的最小值为 60,支持高效的信号放大能力,适用于高增益应用。
功率与频率:
温度范围: MMDT5401-7-F 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保其在恶劣环境条件下的可靠运行,是工业应用的理想选择。
MMDT5401-7-F 采用 SOT-363 (6-TSSOP) 表面贴装封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。SOT-363 封装不仅减少了占板空间,还简化了装配过程,适合于自动化制造。其设计使得 MMDT5401-7-F 在紧凑型电子设备中表现出色。
MMDT5401-7-F 的高集电极电流、高增益和宽温度范围使其在多个领域展现出卓越的性能:
作为一款功能全面的 PNP 型晶体管,MMDT5401-7-F 提供了高达 200mA 的集电极电流和 150V 的集射极击穿电压,确保在多种复杂应用中能够稳定工作。其卓越的增益特性和广泛的工作温度范围,使其在严格条件下仍能发挥出色性能。凭借其小巧而高效的 SOT-363 封装,MMDT5401-7-F 是电子设计中的优质选择,适合多样化的应用需求。