MMBT4403-7-F
MMBT4403-7-F参数
| 额定功率 | 300mW | 集射极击穿电压Vce | 40V |
| 集电极电流Ic | 600mA | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBT4403-7-F手册
MMBT4403-7-F概述
MMBT4403-7-F 产品概述
产品简介
MMBT4403-7-F 是一款高性能的PNP型双极性晶体管（BJT），专为低功耗应用设计。它具有卓越的电气特性和广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使其广泛适用于各种电子产品，如通信设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。该产品的额定功率为300mW，最高集电极电流（Ic）可达600mA，提供稳定的性能和小型化的封装设计。
关键特性
额定功率: MMBT4403-7-F 的额定功率为300mW，适合低功率放大和开关应用，同时在较小尺寸的封装中保证了良好的散热性能。
集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为600mA，支持各类具有高电流需求的电路应用，使得设计灵活性显著提高。
集射极击穿电压 (Vce): 最大承受电压为40V，适用于多种电压范围内的电路，确保在不同的工作环境中均能稳定运行。
饱和压降: 在集电极电流为50mA和500mA时，饱和压降（Vce(sat)）最大值分别为750mV和500mV，使得在高负载下依然可以高效工作。
DC 电流增益 (hFE): 在集电极电流150mA时，hFE的最小值为100，确保了良好的电流增益，满足了大多数放大和开关应用的需求。
频率特性: 该晶体管的跃迁频率高达200MHz，适合于高频应用，能够满足现代电子设备对速度的需求。
宽工作温度范围: 能在-55°C到150°C的温度条件下工作，这一特性使其非常适合在苛刻环境下的应用。
封装类型: 使用SOT-23封装，体积小巧，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和空间有限的应用设计。
应用领域
MMBT4403-7-F 被广泛应用于诸如：
- 消费电子产品: 智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器。
- 通信设备: 无线电发射器、接收器、基站等。
- 工业控制: 自动化设备、传感器接口、信号放大。
- 汽车电子: 电机驱动、开关控制、信号处理等。
结论
MMBT4403-7-F 是一款高性价比、高性能的PNP型晶体管，具备多种电气特性，能够满足现代电子设备的多样化需求。其小巧的SOT-23封装和宽广的工作温度范围，使得这款晶体管在设计电路时提供了更多灵活性。通过合理的电路设计和应用，MMBT4403-7-F 能够带来卓越的性能表现，满足客户在不同行业的要求。