MMBD2004S-7-F 产品实物图片
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MMBD2004S-7-F

商品编码: BM0000285245
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
开关二极管 1对串联式 1V@100mA 240V 225mA SOT-23
库存 :
5649(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.473
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.473
--
200+
¥0.305
--
1500+
¥0.266
--
3000+
¥0.235
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBD2004S-7-F参数

反向恢复时间(trr)50ns直流反向耐压(Vr)240V
平均整流电流(Io)225mA正向压降(Vf)1V @ 100mA
二极管配置1 对串联二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)240V电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)225mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 100mA速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)50ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 240V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

MMBD2004S-7-F手册

MMBD2004S-7-F概述

MMBD2004S-7-F 产品概述

MMBD2004S-7-F 是一款由美台半导体(DIODES)的高性能开关二极管,采用表面贴装型(SMD)封装,尤其适用于那些对空间要求严格的电子应用。这款二极管以其卓越的电性能和可靠的工作特性,广泛应用于各种电子产品的电路设计中,如电源管理、信号整形、反向电流保护等。

关键参数

  1. 反向恢复时间(trr): 50ns

    • 此参数指的是二极管在导通状态与关闭状态之间的转换速度。MMBD2004S-7-F 的反向恢复时间为50纳秒,表明其在快速开关应用中表现良好,能够有效减少开关损耗和提高电路效率。
  2. 直流反向耐压(Vr): 240V

    • 该产品的最大直流反向耐压为240伏,适用于需要在较高电压下工作而又不造成损坏的应用环境。这使得MMBD2004S-7-F 可以应对苛刻的电压条件,广泛应用于电源转换器或者其他需要高耐压设计的电路。
  3. 平均整流电流(Io): 225mA

    • 每个二极管的平均整流电流达到225毫安,使其适合在大多数日常电子应用中使用,确保了均衡的电流处理能力和系统的稳定性。
  4. 正向压降(Vf): 1V @ 100mA

    • 在100毫安的工作条件下,正向电压压降为1伏,这一点对低功耗设计非常重要,意味着在传导状态下的能量损耗较低,有助于提升电路整体的能效。
  5. 反向泄漏电流: 100nA @ 240V

    • 在240伏的反向电压下,反向泄漏电流仅为100纳安,这表明其在关闭状态下的电流损失极小,确保了更高的电路效率和降低了待机功耗。
  6. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C

    • 此二极管的广泛工作温度范围,使其适用于极端环境条件的电子应用,满足了不同工业领域的需要。

封装与安装

MMBD2004S-7-F 采用 SOT-23 封装,体积小,非常适合表面贴装(SMD)应用。SOT-23 封装的优势在于其占用较少的PCB空间,同时易于自动化焊接,使得大规模生产更加高效、经济。这款二极管的设计考虑到了现代电子产品对小型化和高性能的需求,是现代电子设计的优选器件之一。

应用领域

MMBD2004S-7-F 的性能特点使其适用于众多应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 在高频开关模式电源中使用,提高能效并降低待机功耗。
  • 信号整形和整流: 用于直流信号的整形和转化,适合各种信号处理电路。
  • 保护电路: 可用于反向电流保护,防止电流反向造成电路损坏。
  • 面向消费及工业电子产品: 特别适用于手机、家电、消费类电子产品以及工业自动化设备中的广泛应用。

结论

在快速发展的电子市场中,MMBD2004S-7-F 为设计师提供了一款高效、可靠、且程在多个应用中都具备卓越表现的开关二极管。其多样的电气特性与宽广的应用范围,使其成为满足现代电子产品需求的重要元件,助力提升整个电路的性能与稳定性。