反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 240V |
平均整流电流(Io) | 225mA | 正向压降(Vf) | 1V @ 100mA |
二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 240V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 225mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 100mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 240V |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBD2004S-7-F 是一款由美台半导体(DIODES)的高性能开关二极管,采用表面贴装型(SMD)封装,尤其适用于那些对空间要求严格的电子应用。这款二极管以其卓越的电性能和可靠的工作特性,广泛应用于各种电子产品的电路设计中,如电源管理、信号整形、反向电流保护等。
反向恢复时间(trr): 50ns
直流反向耐压(Vr): 240V
平均整流电流(Io): 225mA
正向压降(Vf): 1V @ 100mA
反向泄漏电流: 100nA @ 240V
工作温度范围: -65°C ~ 150°C
MMBD2004S-7-F 采用 SOT-23 封装,体积小,非常适合表面贴装(SMD)应用。SOT-23 封装的优势在于其占用较少的PCB空间,同时易于自动化焊接,使得大规模生产更加高效、经济。这款二极管的设计考虑到了现代电子产品对小型化和高性能的需求,是现代电子设计的优选器件之一。
MMBD2004S-7-F 的性能特点使其适用于众多应用场景,包括但不限于:
在快速发展的电子市场中,MMBD2004S-7-F 为设计师提供了一款高效、可靠、且程在多个应用中都具备卓越表现的开关二极管。其多样的电气特性与宽广的应用范围,使其成为满足现代电子产品需求的重要元件,助力提升整个电路的性能与稳定性。