L6384ED013TR 产品实物图片
L6384ED013TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

L6384ED013TR

商品编码: BM0000285151
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.236g
描述 : 
半桥-栅极驱动器-IC-反相-8-SO
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
6.85
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.85
--
100+
¥5.71
--
1250+
¥5.19
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

L6384ED013TR参数

安装类型表面贴装型逻辑电压 - VIL,VIH1.5V,3.6V
驱动配置半桥输入类型反相
通道类型同步驱动器数2
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)400mA,650mA栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
工作温度-45°C ~ 125°C(TJ)上升/下降时间(典型值)50ns,30ns
电压 - 供电14.6V ~ 16.6V高压侧电压 - 最大值(自举)600V

L6384ED013TR手册

L6384ED013TR概述

L6384ED013TR 产品概述

概述

L6384ED013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能半桥栅极驱动器集成电路,特别设计用于驱动N沟道MOSFET和IGBT。该器件旨在提供卓越的电力管理和控制能力,广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、逆变器及其他需要高开关频率和高效率的电源系统。

主要特点

  1. 安装类型: 本产品采用表面贴装型(SMD/SMT),适合现代电子产品紧凑的PCB设计需求。
  2. 逻辑电压: 输入逻辑电压范围为1.5V(VIL)到3.6V(VIH),确保兼容多种逻辑电平的数字电路。
  3. 驱动配置: L6384ED013TR 的半桥配置使其能够高效地控制两个对称的开关器件,适合于多种半桥电路应用。
  4. 输入类型: 反相输入设计使得控制信号的处理更加灵活,便于与主控制电路集成。
  5. 通道类型: 该器件为同步驱动配置,能够实现高效的功率转换,降低能量损耗。
  6. 驱动器数: 内置两个驱动通道,能够同时控制两个功率开关,提高系统的节能和性能。
  7. 峰值输出电流: 可提供高达400mA(灌入)且650mA(拉出)的输出电流,适合驱动大功率开关器件,确保快速的开关响应。
  8. 栅极类型: 同时支持IGBT和N沟道MOSFET,使其适用范围更加广泛。
  9. 工作温度范围: L6384ED013TR 的工作温度范围为-45°C到125°C(TJ),适合应用于极端环境条件。
  10. 上升/下降时间: 销售规格中的上升时间和下降时间分别为50ns和30ns,提供满意的开关速度,适合高频率应用。
  11. 供电电压: 该器件的供电电压范围为14.6V至16.6V,能够满足各种电源设计的需求。
  12. 高压侧电压最大值自举: 支持高达600V的自举高压,使其在高压应用中依然能够保持良好的性能。

应用场景

L6384ED013TR 主要用于以下领域:

  • 电机驱动:可应用于不同行业的电机控制,如电动车、工业自动化和机器人等领域,提供高效的电机驱动解决方案。
  • DC-DC转换器:在电源管理和电源转换应用中,提升效能的同时,优化系统布局。
  • 逆变器:在新能源电力系统中,用作逆变器的驱动电路,转化直流电为交流电。
  • 功率开关控制:为各种高功率开关装置提供可靠的驱动,提升系统的响应速度。

结论

L6384ED013TR 是一款功能强大且高度集成的半桥栅极驱动器,具有出色的性能与广泛的应用场景。其兼容性强的逻辑电平、优秀的工作温度范围及灵活的配置使其成为现代高效电力电子设备的理想选择。无论是在新设计中,还是在现有产品的升级中,L6384ED013TR 都能提供稳定、可靠的解决方案,助力系统提升整体效率与性能。