AON7410 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7410

商品编码: BM0000285107
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
0.105g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;20W 30V 9.5A;24A 1个N沟道 DFN-8(3x3)
库存 :
39(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.483
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.483
--
500+
¥0.322
--
2500+
¥0.28
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7410参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)9.5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA漏源导通电阻20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W类型N沟道

AON7410手册

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AON7410概述

AON7410 产品概述

AON7410 是一款高效能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),具备适用于多种电子应用的优秀性能。这款 MOSFET 由 AOS(Advanced Substrate Solutions)公司生产,是一款设计用于满足现代电子设备高效率和小型化需求的半导体元件。以下是 AON7410 的详细介绍,包括其关键参数、应用场景、优势以及使用建议。

关键参数

  1. 漏源电压 (Vdss): AON7410 的漏源电压为 30V,适合于中低电压电路应用。
  2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,AON7410 可以支持高达 9.5A 的连续漏极电流,提升电流通过能力,为多种应用提供可靠的性能。
  3. 栅源极阈值电压: AON7410 的栅源极阈值电压为 2.5V @ 250µA,显示出其在较低栅极驱动电压下也能够有效工作,降低控制电路的复杂性。
  4. 漏源导通电阻: 在 8A 和 10V 的条件下,其导通电阻 (Rds(on)) 为 20mΩ,意味着在导通状态下会产生非常低的功耗和热量,确保高效率的电源转换。
  5. 最大功率耗散: AON7410 在 25°C 的环境下,最大功率耗散为 3.1W,适合于多个环境,创建高效的散热解决方案。
  6. 封装形式: 采用 DFN3x3-8L 的封装设计,尺寸小巧,适合高密度组件的布局,灵活的在各种电路板上应用。

应用场景

AON7410 MOSFET 的设计使其适用于广泛的应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,AON7410 特别适合于开关电源(SMPS)应用,可以在功率转换的过程中显著降低能量损失。
  • 电动机驱动: 适用于 DC 和步进电动机控制器,可以有效管理电流,提升电动机的运行效率。
  • 负载开关: 适合用于负载开关电路中,能够在快速开关过程中保持较小的功耗和发热。
  • 电源管理应用: 适合用于各类电池管理系统中,在充放电过程中,作为低内阻开关,提升系统整体效率。

优势

AON7410 的设计充分考虑了电子产品在现代市场中对高效和高集成度的需求,具有以下优势:

  • 高效能: 其低导通电阻和低功耗特性,使得 AON7410 在高电流应用中更具竞争力。
  • 小型化设计: DFN3x3-8L 的封装能够节省电路板空间,适合需要高密度布局的产品设计。
  • 易于驱动: 较低的栅极阈值电压使得 AON7410 可以直接与低电压逻辑级别电路兼容,简化了驱动电路的设计。
  • 可靠性: 经过严格的测试与验证,AON7410 在实际应用中展现出卓越的可靠性,能够承受变化的电流和温度条件。

使用建议

在使用 AON7410 时,建议确保其工作条件在规格书定义的参数范围内,以达到最佳性能。在设计时,合理的散热设计和电路保护措施(如电流保护)同样重要,以确保器件的长期可靠运行。此外,在多通道并联使用时,需考虑均流设计,以避免因工艺差异导致的负载不均。

结论

AON7410 是一款强大的 MOSFET,专为现代电力电子设计而生。他的低导通电阻、高电流承载能力以及小型化封装使其成为许多应用的理想选择。无论是在开关电源、电动机驱动,还是其他功率管理领域,AON7410 都能有效提升系统性能和运行效率,是电子设计中不可或缺的重要元件。