漏源电压(Vdss) | 150V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 52A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 3.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 16.5mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 7.4W | 类型 | N沟道 |
AON6250 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其最大漏源电压为 150V,连续漏极电流可达到 52A。借助其高效率特性和适中的功率耗散能力,该元件特别适用于各种高电压和大电流应用,如电源管理、DC-DC 转换器、电动汽车驱动和工业设备等。AON6250 的合理设计使其在性能和效率之间取得了良好的平衡。
漏源电压(Vdss): 150V
连续漏极电流(Id): 52A(在25°C时)
栅源极阈值电压: 3.4V @ 250μA
漏源导通电阻: 16.5mΩ @ 20A, 10V
最大功率耗散: 7.4W(在Ta=25°C)
AON6250 的设计使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
电源管理: 由于其高效率和高电流特性,AON6250 可以广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他电源管理解决方案。
DC-DC 转换器: 其低导通电阻确保在 DC-DC 转换过程中损耗最小,提升了系统的总体效率。
电动汽车: 在电动汽车的电动机驱动和电池管理系统中,AON6250 的高额定电流和电压确保其对高强度工作环境的适应能力。
工业设备: 在自动化、机器人和其他工业设备中,AON6250 作为开关元件发挥着关键作用,确保安全可靠的工作。
AON6250 是一款在高电压和高电流条件下表现出色的 N 沟道 MOSFET。其卓越的电气特性和适中的功率耗散能力,使其成为各种高性能电子设备的理想选择。从电力管理到电动汽车,AON6250 都可以提供可靠的解决方案。无论是设计工程师还是设备制造商,AON6250 将是您高效、稳定、经济的电子元器件之一。