AON6250 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON6250

商品编码: BM0000285103
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L EP1
包装 : 
编带
重量 : 
0.136g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 7.4W 150V 52A 1个N沟道 PDFN-8(5.8x4.9)
库存 :
1143(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
5.72
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.72
--
100+
¥4.76
--
750+
¥4.41
--
1500+
¥4.2
--
3000+
¥4
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6250参数

漏源电压(Vdss)150V连续漏极电流(Id)(25°C 时)52A(Tc)
栅源极阈值电压3.4V @ 250uA漏源导通电阻16.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)7.4W类型N沟道

AON6250手册

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AON6250概述

AON6250 产品概述

1. 产品简介

AON6250 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其最大漏源电压为 150V,连续漏极电流可达到 52A。借助其高效率特性和适中的功率耗散能力,该元件特别适用于各种高电压和大电流应用,如电源管理、DC-DC 转换器、电动汽车驱动和工业设备等。AON6250 的合理设计使其在性能和效率之间取得了良好的平衡。

2. 性能参数

  • 漏源电压(Vdss): 150V

    • 提供了相对较高的耐压能力,使其适合于高电压应用,降低了在瞬态或故障情况下的风险。
  • 连续漏极电流(Id): 52A(在25°C时)

    • 高电流承载能力使其广泛适用于要求高电流的场合,满足多种负载条件。
  • 栅源极阈值电压: 3.4V @ 250μA

    • 适中的阈值电压能够保证在较低的栅电压下打开,增强了其与其他电子元件(如微控制器和驱动器)的兼容性。
  • 漏源导通电阻: 16.5mΩ @ 20A, 10V

    • 低导通电阻能够减少导通损耗,提高整体能量效率,这对于延长电池寿命及提高系统稳定性至关重要。
  • 最大功率耗散: 7.4W(在Ta=25°C)

    • 这一指标体现了该器件在正常工作情况下所能承受的最大热耗散能力,意味着在合理的散热条件下,AON6250能够在严苛环境中稳定运行。

3.封装与应用

  • 封装形式: DFN5x6-8L EP1
    • 该封装设计为提高散热效率并减小占板面积,让开发者能够在紧凑的设计中集成这一元件,以适应现代电子产品对于小型化和高效散热的需求。

4. 应用场景

AON6250 的设计使其适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 由于其高效率和高电流特性,AON6250 可以广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他电源管理解决方案。

  • DC-DC 转换器: 其低导通电阻确保在 DC-DC 转换过程中损耗最小,提升了系统的总体效率。

  • 电动汽车: 在电动汽车的电动机驱动和电池管理系统中,AON6250 的高额定电流和电压确保其对高强度工作环境的适应能力。

  • 工业设备: 在自动化、机器人和其他工业设备中,AON6250 作为开关元件发挥着关键作用,确保安全可靠的工作。

5. 总结

AON6250 是一款在高电压和高电流条件下表现出色的 N 沟道 MOSFET。其卓越的电气特性和适中的功率耗散能力,使其成为各种高性能电子设备的理想选择。从电力管理到电动汽车,AON6250 都可以提供可靠的解决方案。无论是设计工程师还是设备制造商,AON6250 将是您高效、稳定、经济的电子元器件之一。