AO4803A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4803A

商品编码: BM0000285093
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.205g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 5A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
958(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
1.01
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.01
--
200+
¥0.781
--
1500+
¥0.678
--
3000+
¥0.59
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4803A参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA漏源导通电阻46mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W类型双P沟道

AO4803A手册

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AO4803A概述

AO4803A 产品概述

概述

AO4803A 是 AOS(Advanced Semiconductor, Inc.)公司推出的一款高性能双 P 沟道场效应管(MOSFET),专为高效能开关和运算电路设计而成。该器件线性范围宽,适用于各种低功耗电子应用,包括电源管理、DC-DC 转换、负载开关、马达驱动等。AO4803A 的规格非常适合于要求低导通电阻和良好的热稳定性的电路设计。

主要参数

  • 漏源电压 (Vdss): 30V
  • 连续漏极电流 (Id): 5A (在 25°C 条件下)
  • 栅源极阈值电压: 2.5V @ 250µA
  • 漏源导通电阻: 46mΩ @ 5A, 10V
  • 最大功率耗散: 2W (在 Ta = 25°C 时)
  • 类型: 双 P 沟道
  • 封装: SOP-8

性能特性

  1. 电气特性:AO4803A 的漏源电压高达 30V,使其能够支持多种中高压应用。其在 25°C 环境下的最大连续漏极电流为 5A,适合电源开关及大功率负载的控制。

  2. 低导通电阻:在 5A 和 10V 条件下,AO4803A 的导通电阻仅为 46mΩ。这一特性能够显著降低通电时的功耗,减少发热,提升整体电路的效率。

  3. 可靠性与耐久性:AO4803A 在额定功率耗散为 2W 时运行稳定,能够承受持续的电流而不导致性能下降,适合需要长期可靠运行的应用。

  4. 阈值电压:其栅源极阈值电压为 2.5V,对于逻辑电平控制的电路来说,提供了良好的驱动特性,使其易于与微控制器或其他数字逻辑电路兼容。

应用场景

AO4803A MOSFET 的设计使其适用于多种电子电路场景,其中包括但不限于:

  • 电源管理电路:自动控制电源开关,提升电源转换效率。
  • 电机驱动:用于控制直流电机和步进电机,实现低噪音和高效率的动能传递。
  • 负载开关:能够实现高效的负载切换,广泛应用于便携式设备和消费电子产品。
  • 开关电源(SMPS):在高频作用下表现良好,有助于小型化和高效化设计。

封装和布局

AO4803A 采用 SOP-8 封装,体积小巧,适合高密度电路板设计。该封装形式有助于减少电气噪声,并优化散热性能,使其在高功率环境下依然可靠。

结论

AO4803A 作为一款双 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能、低导通电阻和良好的功率管理能力,在现代电子产品中扮演着越来越重要的角色。无论是在提升功耗效率、改善电源性能,还是在支持更复杂的负载控制,AO4803A 都展示了其广泛的应用潜力和强大的市场竞争力。对于设计工程师而言,这款 MOSFET 是实现高可靠性和高效率电路设计的重要选择。