反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 80V |
平均整流电流(Io) | 125mA | 正向压降(Vf) | 1V @ 50mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 80V |
电流 - 平均整流 (Io) | 125mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 50mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
概述
1N4148WT-7 是一款来自美台(DIODES)品牌的高性能开关二极管,专为高速开关应用而设计。这款二极管在表面贴装型(SMD)封装中提供了优异的特性,特别适合于需要快速开关和低功耗的电路设计。它的关键参数包括反向恢复时间(trr)为4纳秒、直流反向耐压(Vr)为80伏以及平均整流电流(Io)为125毫安,使其成为优秀的通用二极管解决方案。
技术参数
反向恢复时间(trr):1N4148WT-7 的反向恢复时间为4纳秒,允许在高频率应用中快速切换,适合用于开关电源和高速数字电路。这一特性使其在数据传输和脉冲信号处理时极具优势。
直流反向耐压(Vr):最大可承受80伏的DC反向电压,使得该二极管能在多种电源电压条件下稳定工作,广泛适用于需要高压防护的电路设计。
平均整流电流(Io):其额定平均整流电流为125毫安,满足一般小信号整流的需求,适合于小功率的整流和开关应用。
正向压降(Vf):在50毫安的正向电流下,其正向压降为1伏,这使得二极管的能量损耗较低,有助于提高系统的整体效率。
反向泄漏电流:在75伏的反向电压下,反向泄漏电流仅为1微安,这意味着在正常工作条件下几乎不会造成能量损失,提升了电源的可靠性。
电容特性:该二极管在0伏时的电容值为2皮法(pF) @ 1MHz,彰显其良好的频率响应特性,使得在高频应用下的表现也适用。
封装与安装类型
1N4148WT-7 采用SOD-523封装,具有非常小的占板面积,非常适合于高密度的电子电路板设计。该封装类型的引脚间距适应现代表面贴装技术,便于自动化贴装和焊接,同时保证了优良的散热性能和结构强度。
工作环境
适用于广泛的工作温度范围,从-65℃到150℃,使得1N4148WT-7 在各种极端环境下都能保持良好的性能,增加了其在严苛环境应用中的可靠性。这使得它非常适合于汽车电子、工业控制、通信设备等领域。
应用场景
1N4148WT-7 的设计特性使其广泛应用于以下领域:
总结
整体来看,1N4148WT-7 是一款兼具速度与稳健性的开关二极管,凭借其极低的正向压降和快速的反向恢复时间,在各种电子应用中均能够展现出极佳的性能。无论是对低功耗、快速切换特性的追求,还是在复杂和高温环境下的稳定需求,1N4148WT-7 都是一个值得信赖的选择,满足现代电路设计的要求。