AONS62922 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AONS62922

商品编码: BM0000284916
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L EP1
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
4.43
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.43
--
100+
¥3.7
--
750+
¥3.41
--
1500+
¥3.25
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AONS62922参数

功率(Pd)215W反向传输电容(Crss@Vds)9pF@60V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@10V,85A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)65nC@10V
漏源电压(Vdss)120V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.295nF@60V连续漏极电流(Id)85A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA

AONS62922手册

AONS62922概述

AONS62922 产品概述

一、基本信息

AONS62922是一款由AOS(Alpha-Omega Semiconductor)公司生产的绝缘栅场效应管(MOSFET),采用DFN5x6-8L EP1封装。这款MOSFET被广泛应用于各类电源管理和开关应用,其优异的特性使其在电源转化、直流-直流转换器、逆变器等领域中具有极高的应用价值。

二、产品特点

  1. 高效能:AONS62922具备低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低开关损耗,提升功率转换效率。这一特性对于高频开关和高功率应用尤为重要。

  2. 低栅极驱动电压:该MOSFET支持较低的栅极驱动电压,使其在使用中更加灵活,并且便于与其他低电压组件配合使用。

  3. 快开关速度:AONS62922具备较快的开关速度,能够实现高效的频率转换,减少反向恢复时间,降低电源热损耗,提高系统的整体效率。

  4. 热设计优势:DFN5x6-8L EP1封装设计有助于改善散热效果,降低工作温度,增强器件的可靠性和寿命。同时,该封装非常适合限于空间内尺寸限制的应用。

三、技术参数

  • 最大漏源电压(VDS):AONS62922的漏源击穿电压可达30V,适用于多种低压应用。
  • 最大漏电流(ID):该器件的额定漏电流可达70A,能处理大功率电流而不影响其性能。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):这个参数通常在2V到4V之间,提供了精准的控制和驱动能力。
  • 环境工作温度:其适用温度范围广,能够在-55°C到+150°C的环境下工作,适合多种恶劣的工作条件。

四、应用场景

AONS62922广泛应用于各种场景,包括但不限于:

  1. 电源管理:广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和便携式设备的电源系统中。

  2. 电池管理系统:可用于电动车辆和其他需要高效能电池管理的应用,以提升电池充放电的效率。

  3. 逆变器:在使用太阳能和风能的逆变器中,AONS62922提供了必要的开关效果和效率,确保能源的高效转化。

  4. 电机驱动:可用于各种电机驱动应用,包括工业自动化和家用电器中的电机控制系统。

  5. 消费电子:例如,手机、平板电脑等设备中,对低功耗高效率的需求使得该MOSFET成为理想选择。

五、总结

AONS62922绝缘栅场效应管(MOSFET)以其优越的电气性能、紧凑的封装设计和广泛的适应性,成为现代电子设计中不可或缺的元件。其低导通电阻、快速开关能力和优秀的热管理特性使其非常适合于各种高效能电源应用和电流控制场景。对于设计工程师而言,选择AONS62922能够有效提升其产品的性能和用户体验,推动高效能电子设备的发展。