AOD4186 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD4186

商品编码: BM0000284907
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;50W 40V 10A;35A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1167(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
1.53
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.53
--
100+
¥1.18
--
1250+
¥1.02
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD4186参数

漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压2.7V @ 250uA漏源导通电阻15mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型N沟道

AOD4186手册

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AOD4186概述

AOD4186 产品概述

AOD4186 是一种高效能的N沟道场效应管(MOSFET),专为需要高电压及高电流的应用环境而设计。其主要特点包括最大漏源电压为40V、连续漏极电流达到10A、以及在特定条件下的性能表现,如栅源极阈值电压为2.7V(@250µA)、漏源导通电阻为15mΩ(@20A, 10V),并且具有可承受的最大功率耗散达到2.5W。该产品采用流行的TO-252封装形式,适合于各种电子设备和电源管理系统中,尤其是在要求高度可靠性及热管理性能的场合。

主要参数分析

  1. 漏源电压(Vdss):AOD4186的漏源电压达到40V,这使其适用于中等至较高电压的应用场合,能够有效应对电流瞬变和闪电过压等情况,保障电路的安全性和稳定性。

  2. 连续漏极电流(Id):在25°C环境下,AOD4186定义了10A的连续漏极电流,这为多种功率转换器和低压电源管理应用提供了充足的电流供应。

  3. 栅源极阈值电压:其栅源极阈值电压为2.7V,这意味着在此电压下其漏极开始导通。这一特性为MOSFET与逻辑电平电路的兼容性提供了便利,适合用于微控制器和数字信号处理(DSP)集成电路的驱动。

  4. 漏源导通电阻:低至15mΩ的漏源导通电阻在20A电流条件下使得该MOSFET在导通状态下损耗极小,提升系统的总体效率,尤其适合需要高频率开关的应用。

  5. 最大功率耗散:2.5W的最大功率耗散能力使得AOD4186能够在不引起过热的情况下有效工作。适当的散热设计能够使其在高负载时保持稳定性能。

应用领域

AOD4186广泛适用于以下几个领域:

  • ** DC-DC 转换器**:凭借其优越的电流负载能力和导通电阻,AOD4186可用于高效的DC-DC转换器中,实现能源的高效传输与转换。

  • 功率管理:许多电源管理电路设计都需要可靠的开关元件来控制负载,AOD4186在此类应用中表现出色。

  • 电机驱动:在电机控制的应用场景中,该MOSFET的高电流处理能力和可靠性使其非常适合用于电机的驱动和控制电路。

  • 汽车电子:随着汽车电子设备数量的增多,对于高效能电源管理技术的需求亦日益增加,AOD4186能够满足汽车电气系统对 MOSFET 的要求。

结论

AOD4186 是一款性能优越的N沟道MOSFET,结合了合理的封装设计和高效的电性能,使其适用于各类电源管理、开关电源及驱动电路应用。其低导通电阻和适中的功率耗散设计为开发者在设计电子产品时提供了更大的选择空间。此外,该MOSFET还适合各种行业中的使用,如消费电子、工业设备和汽车电子等。凭借其可靠性与高效能,AOD4186将帮助设计师在满足功能需求的同时,提升系统的整体效率和稳定性。