安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 31 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta) | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 404pF @ 20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.3nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
AO4840L 是 AOS 生产的一款高性能 N-通道 MOSFET 阵列,采用表面贴装型 SOIC-8 封装。此产品专为在各种电子应用中提供高效的功率开关功能而设计,使其成为当今电子设备中不可或缺的元件。AO4840L 兼具出色的电流处理能力和较低的导通电阻,适用于控制电源和信号开关等多种场景。
AO4840L 的主要电气参数如下:
漏极 - 源极最大电压 (Vdss): 40V
该参数表示在最大工作电压下,MOSFET 仍能稳定运行而不会发生电击穿,有助于确保设备的长期可靠性。
连续漏极电流 (Id): 6A
最高可承受 6A 的连续电流,使得 AO4840L 成为高功率应用的理想选择。
导通电阻 (Rds(on)): 最大值 31 毫欧 @ 6A, 10V
低导通电阻可减少在工作过程中的功耗和发热,从而提高整体效率。
输入电容 (Ciss): 最大值 404pF @ 20V
输入电容的控制使得驱动电路更为简便,同时有助于在高频率开关应用中维持信号完整性。
栅极电荷 (Qg): 最大值 8.3nC @ 10V
较低的栅极电荷可降低驱动功耗,改善开关性能,使设备工作效率更高。
AO4840L 支持的工作温度从-55°C 到 150°C,具备广泛的应用适应性。这使得其在极端环境条件下,如汽车电子、工业控制等领域,有着良好的表现。
由于 AO4840L 具有较高的电压和电流处理能力,加之出色的热性能和低导通电阻,该 MOSFET 可以广泛应用于:
AO4840L 提供许多独特的优势,使其成为业内重要的电子元器件之一:
AO4840L 是一款兼具高性能和高可靠性的 MOSFET 阵列,适合多种现代应用需求。凭借其卓越的电气特性和广泛的温度适应性,AO4840L 将为各类电子设备提供稳定可靠的功率解决方案,成为那些追求性能和效率设备开发者的理想选择。无论是在家用电器、工业设备还是高科技电子产品中,AO4840L 都有着广泛的应用前景。