AO3424 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3424

商品编码: BM0000284891
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.041g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.8A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.581
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.581
--
200+
¥0.4
--
1500+
¥0.364
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3424参数

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A漏源电压(Vdss)30V
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA漏源导通电阻35mΩ @ 5.8A,10V
类型N沟道

AO3424手册

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AO3424概述

AO3424 产品概述

一、产品简介

AO3424 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),其主要应用于各种电子电路中,例如开关电源、LED 驱动、电机控制等。凭借出色的电流承载能力和低导通电阻,AO3424 可以在高效能和高密度的应用中提供卓越的性能。

二、主要参数

  1. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,AO3424 的最大连续漏极电流可达 2A。这一特性使其能够承载一定量的负载电流,适用于多种中等功率的应用场景。

  2. 漏源电压(Vdss): AO3424 的漏源电压为 30V,能够适应多种电压环境。这如同为电路设计提供了灵活性,尤其在需要承受一定高压的应用中表现出色。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): AO3424 的栅源极阈值电压为 1.5V @ 250μA,表示 MOSFET 在栅电压达到 1.5V 时开始导电。这一特性为低电压驱动的应用提供了良好的支持,比如低功耗电路设计。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 5.8A,10V 的条件下,AO3424 的漏源导通电阻为 35mΩ。低 Rds(on) 值意味着在导通状态下的能量损耗非常低,有助于提高整体电路的效率,减少热量生成。

  5. 封装类型: AO3424 采用 SOT-23-3 封装,外形小巧紧凑,非常适合现代小型化电子产品的需求。这种封装形式可以有效节省电路板的空间,提高布局的灵活性。

  6. 功耗(Pd): AO3424 的最大功耗为 1.4W,这使得在指定电流和电压下稳定工作成为可能,适合需要持续输出的应用。

三、应用领域

由于其优越的电气特性,AO3424 被广泛应用于如下领域:

  1. 开关电源(SMPS): AO3424 能够在高效能的开关模式变换中作为开关元件,有助于提高整体电源转换效率。

  2. LED 驱动: 该 MOSFET 可作为高效的开关元件用于驱动 LED,尤其在需要调光和频繁开关的应用场景中表现优异。

  3. 电机控制: AO3424 可以应用于直流电机控制系统中,负责开关电源为电机提供合适的驱动电流。

  4. 充电器及适配器: 由于其能够承受一定的电压和电流,AO3424 可应用于各种电池充电和适配器电路中。

  5. 消费电子产品: 小型化和高效能的特性,使得 AO3424 成为移动设备与其它小型智能设备中的絕佳选擇。

四、总结

AO3424 N 沟道场效应管凭借其优秀的电气特性和小巧的封装形式,适合广泛应用于各种电子设备中。无论在开关电源、LED 驱动还是电机控制方面,AO3424 都能够提供可靠的性能,并为现代电子产品的高效率设计提供有力支持。对工程师而言,选择 AO3424 将是提升电路性能和增强产品可靠性的明智之选。