封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V | 集电极电流Ic(最大值) | 100mA |
电流放大倍数hFE(最小值) | 350@2mA,6V | 功率(最大值) | 150mW |
工作温度 | 125°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 120V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 350 @ 2mA,6V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 供应商器件封装 | TO-236 |
2SC3324-BL(TE85L,F) 是一款 NPN 型双极晶体管,专为高效能和高频率应用而设计。其具备卓越的性能指标,广泛应用于信号放大、开关及其他需要高增益和高耐压的电子元器件应用场景。该器件由著名电子元器件制造商东芝(TOSHIBA)出品,涵盖了 TO-236 等多种小型化封装,具有表面贴装(SMT)特点,便于集成到现代电路设计中。
封装和外壳:
电气特性:
电流增益:
频率响应:
功率和温度范围:
2SC3324-BL(TE85L,F) 的设计使其适合于多种电子应用,包括但不限于:
2SC3324-BL(TE85L,F) 无疑是注重性能和效率设计的工程师的理想选择,凭借其优异的电气特性和宽广的应用范围,成为现代电子设备设计的重要组成部分。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,该晶体管均展现出其独有的价值。
总之,2SC3324-BL(TE85L,F) 凭借其可靠的性能和高度的集成度,能够有效满足市场对高效能、小型化电子产品日益增长的需求。无论是在新型电路设计还是旧有设备的升级改造中,该晶体管的使用都将带来积极的效果,是您电路设计的得力助手。