2N7002T-7-F
2N7002T-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 115mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
2N7002T-7-F手册
2N7002T-7-F概述
产品概述：2N7002T-7-F N沟道MOSFET
一、基本信息
2N7002T-7-F 是一款由DIODES公司生产的高性能N沟道MOSFET，采用SOT-523封装，适用于多种电子应用。这款器件以其低的导通电阻、高漏源电压和广泛的工作温度范围，成为了许多设计师在选择对小功率MOSFET时的优选。
二、技术规格
- 漏源电压（Vdss）： 60V
- 连续漏极电流（Id）: 115mA（在25°C 的环境温度下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 2V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 7.5Ω @ 50mA, 5V
- 最大功率耗散（Pd）： 150mW（在25°C环境下）
- 驱动电压： 5V 至 10V
- 输入电容（Ciss）： 50pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: SOT-523
三、性能特点
高耐压： 该器件的漏源电压为60V，适用于多种低到中等电压的应用场合，如开关电源、马达控制和信号调理等。
低导通电阻： 在5V的驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）为7.5Ω，确保在工作时的能量损耗最低，这使其非常适合需要高效率的电路设计。
适应性广泛的工作温度： 该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内正常工作，增强了其在恶劣环境条件下的鲁棒性。
小型封装： SOT-523封装使得2N7002T-7-F在占用空间最小的同时，提供良好的热管理和电气性能，适合高密度PCB设计。
四、应用领域
2N7002T-7-F广泛应用于以下领域：
开关电源： 由于其能承受高漏源电压和较大的电流，适合用于高压开关电源中的转换开关。
马达控制： 可以用于直流马达的驱动和控制。结合适当的驱动电路，2N7002T-7-F能够高效地控制马达的启停和调速。
信号开关： 可以用作音频、视频信号的开关，适合用于多种消费电子产品中，确保信号的纯净与高效传输。
LED驱动： 随着LED技术的普及，2N7002T-7-F可用于LED照明的开关与调光控制，实现高效的照明解决方案。
五、总结
2N7002T-7-F N沟道MOSFET 是一款性能优越、适用范围广泛的小功率开关器件，其高耐压、低导通电阻、广泛的工作温度范围及小型封装，使其在现代电子设计中成为一种理想的选择。无论是用于开关电源、马达控制，还是信号开关和LED驱动，2N7002T-7-F 都能为设计者提供稳定的性能和可靠的解决方案，是电子工程师们值得信赖的组件之一。