2N7002E-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-236
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 240mA 1个N沟道 TO-236
库存 :
26706(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.455按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.455
--
200+
￥0.294
--
1500+
￥0.255
--
3000+
￥0.226
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
2N7002E-T1-GE3参数
| FET配置（电路类型） | N沟道 | 漏源击穿电压V(BR)dss | 60V |
| 漏极电流（Id, 连续） | 240mA（Ta） | 导通电阻 Rds（on） | 3欧姆 |
| 阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | 最大耗散功率 | 350mW |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 250mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21pF @ 5V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
2N7002E-T1-GE3手册
2N7002E-T1-GE3概述
产品概述：2N7002E-T1-GE3 MOSFET
基本信息
2N7002E-T1-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由VISHAY（威世）公司制造，广泛应用于各种智能电子产品和电源管理系统。该器件采用了TO-236（又称SOT-23-3或SC-59）封装，适合表面贴装，具有良好的散热性能和可靠性。
关键参数
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 240mA (在环境温度为25°C时)
- 导通电阻（RDS(on)）: 最大3Ω (在10V时，流过250mA的条件下)
- 阈值电压（VGS(th)）: 2.5V @ 250µA
- 最大耗散功率: 350mW
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
电气特性
2N7002E-T1-GE3MOSFET展现出低导通电阻的特性，减少了损耗，提高了效率。其在10V驱动电压下的导通电阻为3Ω，适合需要高效能与较低功耗的应用场景。同时，其漏源电压可承受最高60V，使其在多种电气环境中都能安全工作。
该器件还具有较低的栅极电荷(Qg)——仅为0.6nC @ 4.5V，确保其在开关频率较高的应用中保持快速响应，适合用作高频功率开关。
应用领域
由于其优良的电气特性，2N7002E-T1-GE3可以广泛应用于：
- 电源开关: 该MOSFET能有效控制电源的打开与关闭，适合用于开关电源、DC-DC转换器等。
- 信号开关: 在音频、视频和其他信号线路中，用于信号的选择与开关。
- 驱动电路: 该器件可用于简单的电机驱动、LED驱动及其他负载的控制。
- 保护电路: 用于过流或过压保护电路中，以防止进一步损坏电路。
使用指导
在使用2N7002E-T1-GE3 MOSFET时，设计工程师应关注最大反向栅极电压（VGS最大值为±20V）以及工作温度范围，在高温环境下确保适当的散热设计以维持稳定性能。此外，必须确保漏极电流不超过最大额定值（240mA），以防止器件的损伤或故障。
总结
总体而言，2N7002E-T1-GE3是功能强大且可靠的N沟道MOSFET，结合低导通电阻与较高的工作电压，使其在许多电子应用中成为理想之选。不论是在电源管理、信号调节还是负载控制方面，它都具有良好的伸缩性，能够满足市场对高效能、高稳定性的电气组件的需求。选择2N7002E-T1-GE3，将为您的设计提供优质的电气性能与稳定的使用体验。