ZXTP2014GTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXTP2014GTA

商品编码: BM0000284759
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 3W 140V 4A PNP SOT-223-3
库存 :
139(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.1
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.1
--
50+
¥1.62
--
1000+
¥1.34
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTP2014GTA参数

额定功率3W集电极电流Ic4A
集射极击穿电压Vce140V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A电压 - 集射极击穿(最大值)140V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)360mV @ 300mA,3A电流 - 集电极截止(最大值)20nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,5V功率 - 最大值3W
频率 - 跃迁120MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

ZXTP2014GTA手册

ZXTP2014GTA概述

ZXTP2014GTA 产品概述

产品基本信息

ZXTP2014GTA 是一款高性能的PNP型晶体管,主要用于高功率和高电流的电子电路。其最大额定功率为3W,能够承受的集电极电流为4A,而集射极击穿电压(Vce)则高达140V。这使得ZXTP2014GTA特别适合在需要处理高电压和大电流的负载应用中。

主要规格

  1. 额定功率:3W
  2. 集电极电流(Ic):最大4A
  3. 集射极击穿电压(Vce):最大140V
  4. 饱和压降(Vce(sat):最大360mV,测试条件为300mA和3A的Ic
  5. 集电极截止电流(最大值 ICBO):20nA,低漏电流特性
  6. DC电流增益(hFE):在1A、5V条件下最小值100,具有良好的放大特性
  7. 频率跃迁:可达120MHz,适合高频率工作
  8. 工作温度范围:-55°C至150°C(TJ),保证在极端环境中正常工作
  9. 封装类型:表面贴装型,封装为SOT-223,提供紧凑的尺寸,方便PCB布线和焊接。

应用场合

ZXTP2014GTA适用于多种电子电路设计场合,包括但不限于:

  • 开关电源:能够用于高电压和大电流的开关电源设计,提供稳定的开关特性。
  • 功率放大器:由于其优秀的hFE和频率性能,可使用在音频功率放大器中。
  • 电机驱动:适合在电机驱动电路中作为开关元件,能够有效控制电机的启停和速度。
  • 信号放大:可以在RF和IF放大器中使用,提供稳定的增益和可靠的性能。

性能特点

ZXTP2014GTA凭借其高电压和大电流的承载能力,能够在复杂和极端的工作环境中保持优异性能。得益于其低饱和压降特性,电能损耗最小,能有效提高整体电路效率。此外,其低集电极截止电流意味着在待机状态下能够降低整个电路的功耗,提高系统的能效。

设计考虑

在使用ZXTP2014GTA进行电路设计时,工程师需保证工作条件在其额定参数范围内,以免元件出现过热或失效。在选择散热器时,需充分考虑其3W的功率额定,确保长时间工作在理想温度范围。此外,建议遵循制造商提供的数据手册进行布局设计。

总结

ZXTP2014GTA是一款兼具高性能和可靠性的PNP晶体管,广泛适用于各种高功率和高电流应用场合。凭借其卓越的技术规格和良好的工作性能,ZXTP2014GTA非常适合在要求严格的电子产品和系统中使用。

有了ZXTP2014GTA,设计师可以信心十足地在其电路中实现高效的电源管理和信号处理,满足现代电子设备对性能和能效的日益提高的需求。