封装/外壳 | TO-243AA | 晶体管类型 | PNP |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V | 集电极电流Ic(最大值) | 4.5A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 200@100mA,2V | 功率(最大值) | 2.4W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 410mV @ 450mA,4.5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V | 功率 - 最大值 | 2.4W |
频率 - 跃迁 | 180MHz | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
ZXTP19060CZTA 是一款高性能的 PNP 型三极管,采用 SOT-89-3 封装,专为表面贴装(SMT) 应用设计。该器件隶属于 DIODES 半导体公司,具有高电压和高电流处理能力,适用于多种电子电路的驱动与开关应用。
ZXTP19060CZTA 具备较低的饱和压降,即在高集电极电流 (如 4.5A) 下的 Vce 饱和压降最大为 410mV,这有助于在减少功耗的同时提高系统效率。此特性对降低整体温升和提高系统性能至关重要。
此外,产品的截止电流 (ICBO) 最大为 50nA,意味着在关断状态下,器件能够有效地抑制漏电流,有助于延长电路的使用寿命和提升整体可靠性。
ZXTP19060CZTA 广泛应用于如下领域:
ZXTP19060CZTA 拥有多个竞争优势:
ZXTP19060CZTA 是一款具有优异性能的 PNP 型三极管,非常适合在各种电源管理、驱动和放大应用中使用。其高压、高流和温度耐受能力使其成为设计高效、可靠电子设备的理想选择。在选择合适的晶体管时,ZXTP19060CZTA 无疑是一个值得考虑的优质选择。对于工程师和设计师而言,其稳定性和性能使得其能在优化电路设计和提升设备性价比方面起到关键作用。