晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 160V | 额定功率 | 2W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 130MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
ZXTN5551GTA是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),专为广泛的电子应用而设计。凭借其卓越的电气特性和可靠性,这款晶体管非常适合在各种电路设计中使用,包括高功率驱动、开关电源和模拟信号放大应用。ZXTN5551GTA的额定功率高达2W,具有较高的集电极电流能力(最大600mA),以及高达160V的集射极击穿电压,使其在工业和消费电子领域都显示出极大的适用性。
ZXTN5551GTA在高电压和高电流应用中表现优异。其最大集射极击穿电压为160V,保证了在高压工作条件下的安全性和稳定性。同时,最大集电极电流达到600mA,使其能够承受较大的负载。饱和压降仅为200mV,这在实现功率损耗最小化以及提高效率方面非常重要。
此外,这款晶体管的直流电流增益 (hFE) 最小为80,这意味着在低输入电流下能够获得显著的输出电流,这使得ZXTN5551GTA在低驱动条件下也能有效工作,适用于许多低功耗应用。
ZXTN5551GTA的工作温度范围从极低的-55°C到高达150°C,适应了各种恶劣环境中的应用。这使得它特别适合于汽车、航空以及其它工业应用,在温度变化较大的环境下依然能够保持高效工作。
该晶体管采用SOT-223封装,这种表面贴装型封装使得ZXTN5551GTA能够在板上占用更小的空间,同时便于自动化生产与安装。这一特点在当今对小型化和高密度集成需求日益增长的电子产品设计中具有重要意义。
ZXTN5551GTA广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
由于其卓越的性能,ZXTN5551GTA被广泛用于工业、消费电子、汽车以及军事和航空航天等领域。
ZXTN5551GTA凭借其高耐压、大电流、低饱和压降、广泛的工作温度范围以及小巧的封装设计,成为了现代电子设计中非常理想的选择。无论是在功率管理、开关应用还是放大电路中,该晶体管都展现出了出色的性能,使其成为多数电路设计者的首选器件。选择ZXTN5551GTA,能够为您的产品带来更高的性能与稳定性。