额定功率 | 2.1W | 集电极电流Ic | 4.5A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 195mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V | 功率 - 最大值 | 2.1W |
频率 - 跃迁 | 130MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
基本介绍: ZXTN2011ZTA是一款高性能的NPN晶体管,由美台(DIODES)公司生产,采用SOT-89-3封装,专为在更高电流和电压应用中提供稳定、可靠的性能而设计。该器件具有较高的集电极电流、宽广的工作温度范围和快速的频率特性,适合多种电源管理和开关用途。这款晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、电池管理和通信设备等领域。
关键参数:
封装与安装: ZXTN2011ZTA采用SOT-89-3封装,属于表面贴装型(SMT),具有卓越的热性能和较小的占地面积,适合当今越来越紧凑的电子产品设计。这种封装方式还简化了装配过程,提高了生产效率和设备的可靠性。
应用领域: 由于其高效的电流和电压特性,ZXTN2011ZTA非常适合用于诸如:
总结: ZXTN2011ZTA的优异性能和灵活的应用能力使其成为现代电子设计中的重要器件。无论是在高压、大电流的电源应用中,还是在需要精确控制的信号放大领域,该晶体管都展示了其必要性和有效性。今天,对于追求高效能和紧凑设计的工程师和设计师来说,ZXTN2011ZTA无疑是一个值得推荐的选择。