ZXTC2063E6TA
ZXTC2063E6TA参数
| 晶体管类型 | NPN,PNP | 集电极电流Ic | 3.5A,3A |
| 集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 1.1W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3.5A，3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 195mV @ 350mA，3.5A / 175mV @ 300mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V / 200 @ 1A，2V | 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 频率 - 跃迁 | 190MHz，270MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
ZXTC2063E6TA手册
ZXTC2063E6TA概述
ZXTC2063E6TA 产品概述
ZXTC2063E6TA 是由 DIODES（美台）公司推出的一款高性能晶体管，采用表面贴装型（SMD）封装，规格为 SOT-26。这款产品包含 NPN 和 PNP 类型的晶体管，适用于各种电子电路中，对集电极电流（Ic）、集射极击穿电压（Vce）及功耗等方面具有较高的性能要求。
产品关键参数
晶体管类型: ZXTC2063E6TA 包括 NPN 和 PNP 两种晶体管类型，能够满足不同电路设计的需求。这种设计灵活性使得它被广泛应用于各种电子设备以及电源管理系统中。
集电极电流 (Ic): 该晶体管的最大集电极电流（Ic）为 3.5A（NPN）和 3A（PNP），显示出其强大的电流承载能力，适合高功率应用。
集射极击穿电压 (Vce): 极限集射极击穿电压为 40V，这意味着在实际工作中，ZXTC2063E6TA 能够承受较高的电压，确保在高压环境下的可靠运行。
额定功率: ZXTC2063E6TA 的额定功率为 1.1W，使其能够高效处理电能，同时保持较低的热量产生，这是实现高可靠性的重要条件。
饱和压降 (Vce): 不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，Vce 的饱和压降最大为 195mV（@ 350mA，3.5A）和 175mV（@ 300mA，3A），这表明在工作时能量损失较小，提升了整体能效。
直流电流增益 (hFE): 在不同的工作条件下，ZXTC2063E6TA 的 DC 电流增益（hFE）表现出了优异的特性，在 10mA 的电流下增益达到 300，而在 1A 时仍能保持 200 的增益。
频率特性: 该晶体管具备较高的频率跃迁特性，分别为 190MHz 和 270MHz，这使得其在高频应用中表现出色，适用于射频放大器及其他信号处理电路。
工作温度: ZXTC2063E6TA 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合在各种极端环境下运行，满足多种工业和消费类电子产品的需求。
封装与安装: 采用 SOT-26 封装，其小型化设计便于在现代紧凑型电路板上安装，从而节省空间，提高设计灵活性。
应用领域 ZXTC2063E6TA 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：高效开关电源、线性稳压器等。
- 音频放大器：用于高保真音频应用，提升声音信号质量。
- 工业控制：在传感器和执行器电路中提供开关控制。
- 计算机和消费电子：如移动设备、电视、游戏机等。
总结 ZXTC2063E6TA 是一款为高功率和高频率应用设计的高可靠性晶体管，结合了出色的电气性能和广泛的适用性。其优异的参数组合使其成为电源管理、音频放大和工业控制等多个应用领域的理想选择。无论是在设计高效电路还是在提高系统可靠性方面，ZXTC2063E6TA 都展现了令人瞩目的价值。凭借 DIODES 的品牌优势和高质量标准，ZXTC2063E6TA 无疑将成为设计师和工程师的热门选择。