ZXMN6A07ZTA
ZXMN6A07ZTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.9A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 1.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 1.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 166pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
ZXMN6A07ZTA手册
ZXMN6A07ZTA概述
ZXMN6A07ZTA 产品概述
基本信息
ZXMN6A07ZTA 是由美台（DIODES）生产的一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为多种电子应用设计。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为SOT-89-3，适合高密度电路板的布局设计。凭借其出色的电气性能和小巧的封装，ZXMN6A07ZTA 可以广泛应用于开关电源、电机驱动和其他需要高效能的电源管理系统。
电气特性
漏源电压（Vdss）：ZXMN6A07ZTA 的漏源最大电压为60V，意味着其能够稳定地工作于高达此电压的电路中，非常适合用于那些需要承受一定电压的应用场景。
连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，ZXMN6A07ZTA 的连续漏极电流额定值为1.9A，能够满足大部分中等功率设备的需求。这使得该器件适合用于各种负载条件下的应用。
导通电阻（Rds(on)）：在1.8A电流和10V的栅源电压下，导通电阻达到250mΩ。这一低导通电阻特性确保了器件能够在运行时维持低的功耗，并提高整体效率，降低发热。
栅源电压阈值（Vgs(th)）：在Vgs下3V @ 250µA时，器件的阈值电压值得以控制电流的开启和关闭状态，支持低驱动电压的应用，增强了驱动电路的设计灵活性。
最大功率耗散：ZXMN6A07ZTA 功率耗散能力为1.5W（在环境温度25°C时），该参数结合导通电阻而得出，有助于设计者在确保稳定性的同时，避免器件过热。
封装和安装
ZXMN6A07ZTA 的封装类型为SOT-89，符合现代电子设备对小型化和高密度布局的要求。小巧的形状使得器件可以轻松集成进各种电子元件中，特别适合于便携式和便宜的电子产品，如手机、平板电脑等。此外，作为表面贴装型组件，该器件支持自动化焊接，提高生产效率。
应用场景
ZXMN6A07ZTA 在许多场合下具有广泛的应用，包括但不限于：
开关电源（SMPS）：作为开关元件，ZXMN6A07ZTA 能够提高电源转换效率，降低整体电源发热，实现更加稳定的电力输出。
电机控制：在电机驱动应用中，ZXMN6A07ZTA 可以用作PWM控制信号的开关，帮助实现高效的电机驱动系统。
信号开关：由于其低栅源阈值电压，ZXMN6A07ZTA 还可以用于信号开关应用，为设计提供更多的灵活性和效率。
LED驱动：在LED照明应用中，通过控制MOSFET的开闭，ZXMN6A07ZTA 可以有效调节LED的亮度，实现更高效的能源利用。
总结
ZXMN6A07ZTA 是一款具有出色性能的N沟道MOSFET，适合多种电子应用，尤其是在需要处理较高电压和电流的场合。其优异的导通电阻和功率耗散能力，加上紧凑的SOT-89封装，使其在现代电子设计中成为一个理想的选择。希望此产品能为设计工程师在电源管理、信号控制和其他关键应用中提供强有力的支持。