ZVN4206A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZVN4206A

商品编码: BM0000284738
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
0.163g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 600mA 1个N沟道 TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.96
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.96
--
100+
¥2.36
--
1000+
¥2.11
--
2000+
¥1.99
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN4206A参数

安装类型通孔不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1 欧姆 @ 1.5A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)100pF @ 25VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)漏源电压(Vdss)60V
功率耗散(最大值)700mW(Ta)不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA

ZVN4206A手册

ZVN4206A概述

ZVN4206A 产品概述

ZVN4206A是一款高性能N沟道MOSFET,专为电子应用设计。它采用TO-92-3封装,具有出色的热管理能力和机械强度,适合在多种条件下工作。作为DIODES(美台)品牌的一款产品,ZVN4206A展现出优良的品质和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、线性稳压器及其他需要高效能的电路中。

1. 基础参数

ZVN4206A的导通电阻(Rds On)在不同工作条件下表现出色,最大值为1欧姆,这在1.5A、10V的条件下测试得出。如此低的导通电阻可以显著降低电路的功耗,从而提高整个系统的效率。这款MOSFET的最大漏极电流(Id)为600mA,允许在实际应用中处理中等功率负载,而其功率耗散能力达到700mW,适应各种工作条件和环境。

2. 电气特性

ZVN4206A的驱动电压范围在5V至10V之间,这使其适用于许多不同的逻辑电平驱动电路。其最大栅源电压(Vgs)为±20V,保证了在多种控制信号下的安全运行,而在25°C条件下,其输入电容(Ciss)最高为100pF,这使得管子的开关速度较快,转变时延较小,适合高频应用。

3. 温度范围与可靠性

该MOSFET具有广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。这样的特性使其成为汽车电子、航空航天以及工业控制等要求高稳定性、耐用性的领域的理想选择。此外,其漏源电压(Vdss)能够承受最高60V,适合多种应用场合,尤其是在高压环境中的使用。

4. 门极阈值电压

ZVN4206A的Vgs(th)(门极阈值电压)最大值为3V(在1mA条件下测得),这使得其可以在较低的驱动电压下即可完全开启,提高了电路的灵活性。此外,其可在较大电流范围内保持正常工作,增强了电路设计的灵活性。

5. 应用场景

ZVN4206A的特点使其适用于多种应用场景,如:

  • 开关电源:高效率和低功耗使其在电源转换领域具有广泛应用。
  • 电机驱动:良好的开关特性和耐压能力使其成为伺服电机和步进电机驱动电路中的重要组成部分。
  • 信号开关:高频特性使其在通信设备中作为信号开关实现理想表现。
  • LED驱动:可以用于各类LED驱动电路,提供高效的电源管理。

6. 总结

综上所述,ZVN4206A不仅具备出色的电气和热气特性,其广泛的工作温度范围及高可靠性也使其成为各种电子应用的理想选择。无论是高效的开关电源设计、精确的电机驱动,还是快速的信号处理需求,ZVN4206A都能够提供稳定、可靠的解决方案。作为DIODES(美台)品牌的优质产品,ZVN4206A必将为您的电路设计提供强有力的支持。