安装类型 | 通孔 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1 欧姆 @ 1.5A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 100pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
ZVN4206A 产品概述
ZVN4206A是一款高性能N沟道MOSFET,专为电子应用设计。它采用TO-92-3封装,具有出色的热管理能力和机械强度,适合在多种条件下工作。作为DIODES(美台)品牌的一款产品,ZVN4206A展现出优良的品质和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、线性稳压器及其他需要高效能的电路中。
ZVN4206A的导通电阻(Rds On)在不同工作条件下表现出色,最大值为1欧姆,这在1.5A、10V的条件下测试得出。如此低的导通电阻可以显著降低电路的功耗,从而提高整个系统的效率。这款MOSFET的最大漏极电流(Id)为600mA,允许在实际应用中处理中等功率负载,而其功率耗散能力达到700mW,适应各种工作条件和环境。
ZVN4206A的驱动电压范围在5V至10V之间,这使其适用于许多不同的逻辑电平驱动电路。其最大栅源电压(Vgs)为±20V,保证了在多种控制信号下的安全运行,而在25°C条件下,其输入电容(Ciss)最高为100pF,这使得管子的开关速度较快,转变时延较小,适合高频应用。
该MOSFET具有广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。这样的特性使其成为汽车电子、航空航天以及工业控制等要求高稳定性、耐用性的领域的理想选择。此外,其漏源电压(Vdss)能够承受最高60V,适合多种应用场合,尤其是在高压环境中的使用。
ZVN4206A的Vgs(th)(门极阈值电压)最大值为3V(在1mA条件下测得),这使得其可以在较低的驱动电压下即可完全开启,提高了电路的灵活性。此外,其可在较大电流范围内保持正常工作,增强了电路设计的灵活性。
ZVN4206A的特点使其适用于多种应用场景,如:
综上所述,ZVN4206A不仅具备出色的电气和热气特性,其广泛的工作温度范围及高可靠性也使其成为各种电子应用的理想选择。无论是高效的开关电源设计、精确的电机驱动,还是快速的信号处理需求,ZVN4206A都能够提供稳定、可靠的解决方案。作为DIODES(美台)品牌的优质产品,ZVN4206A必将为您的电路设计提供强有力的支持。