ZXTP2013GTA

ZXTP2013GTA 产品概述

概述

ZXTP2013GTA 是一款高性能的 PNP 晶体管，适用于多个电子应用，其额定功率达到3W，集电极电流 (Ic) 最大值为5A，集射极击穿电压 (Vce) 可高达100V。这款晶体管专为高电流、高电压的应用而设计，适合在需要具有高效率和低传导损耗的场景中使用。ZXTP2013GTA 采用 SOT-223 封装，是一种表面贴装型元件，广泛应用于各种电子设备中。

基本参数

• 额定功率: 3W
• 集电极电流 (Ic): 5A (最大值)
• 集射极击穿电压 (Vce): 100V (最大值)
• 饱和压降 (Vce): 340mV @ 400mA, 4A
• 截止电流 (ICBO): 20nA (最大值)
• 电流增益 (hFE): 100 @ 1A, 1V (最小值)
• 跃迁频率: 125MHz
• 工作温度范围: -55°C ～ 150°C (结温TJ)
• 封装/外壳类型: TO-261-4, TO-261AA
• 供应商器件封装: SOT-223

应用场景

ZXTP2013GTA 最常见的应用包括：

• 开关电源: 其良好的电流处理能力和高击穿电压使其在开关电源设计中非常适用。
• 功率放大器: 可以在音频和射频放大器中使用，以提供高功率增益。
• 马达驱动: 在电机控制电路中，用于实现电机的正反向控制。
• 直流电机控制: 适用于直流电机的调速和启停控制。
• 传感器驱动: 适合于传感器的信号放大和驱动。

性能特点

ZXTP2013GTA 的优越性能使其成为各类电子电路中的理想选择。其高达5A 的集电极电流和100V 的集射极击穿电压确保了在较高负载条件下的可靠运行。饱和压降仅为340mV 的设计进一步提升了其高效能，减少了功耗，特别适合于低功耗设计。

此外，该产品的 hFE 最小值为100，这意味着即使在相对较低的输入电流下，也能实现有效的输出电流放大。这使得 ZXTP2013GTA 在许多需要信号放大的应用中具有良好的灵活性和可靠性。

工作温度与封装

ZXTP2013GTA 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，意味着它可以在极端的环境条件下稳定工作。这一特性对于航空航天、汽车电子和工业控制等领域至关重要。其 SOT-223 封装设计也使得该器件适合高密度的电路板布局，并能够有效降低因组件热量积聚而引起的潜在问题。

兼容性与应用设计

ZXTP2013GTA 兼容广泛的电路设计，特别是在替代逐渐淘汰的传统大功率元器件方面，为设计师提供了更高的整合度和更小的设计空间。通过合理的应用设计，工程师能够充分发挥其在功率控制和信号处理中的优势。

结论

ZXTP2013GTA 是一款功能强大的 PNP 晶体管，毫无疑问在现代电子设计中扮演着越来越重要的角色。其出色的电流和电压特性、低功耗以及宽广的工作温度范围使其成为多个领域的可靠选择。结合声誉卓著的 DIODES 品牌，ZXTP2013GTA 无疑是追求效率和性能的设计师的理想之选。