晶体管类型 | NPN + 二极管(隔离式) | 集电极电流Ic | 4.5A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 额定功率 | 3W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 270mV @ 125mA,4.5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 25nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-DFN(3x2) |
ZXTNS618MCTA 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 NPN 型双极晶体管(BJT),它集成了一种隔离型二极管,专门设计用于高效的功率放大和开关应用。该器件采用了现代封装技术——8-WDFN(3x2毫米),适合表面贴装(SMD),这使得其在空间受限的设计中表现出色。凭借其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,ZXTNS618MCTA 是诸多电子应用的理想选择,尤其在汽车、电信和消费电子行业中具有广泛的应用潜力。
ZXTNS618MCTA 的特性使其在多种应用场景中表现出色:
ZXTNS618MCTA 是一款多功能的 NPN 晶体管,其高集电极电流、优良的频率响应、宽温度范围加上小巧的表面贴装封装,使其在现代电子设计中成为了极具吸引力的选择。无论是在汽车、通信设备还是其他需要高效开关和放大功能的领域,都能发挥出色的性能。未来,随着电子设备对功率、体积和效率的更高要求,ZXTNS618MCTA 将继续在多个领域中展现其实力和价值。