额定功率 | 2.1W | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 75V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 75V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 460mV @ 200mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 4W |
频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
ZXT1053AKTC是一款高性能的NPN晶体管,主要设计用于开关和放大电路的应用。作为一款表面贴装型的器件,其独特的TO-252(DPAK)封装使其在紧凑的电路设计中具有极大的灵活性和便利性。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
ZXT1053AKTC的额定功率为2.1W,最大集电极电流Ic为5A,提供了强大的电流处理能力。而集射极击穿电压(Vce)达到75V,确保其在高压应用场景下的稳定性。对功率的最大值能力可达到4W,使其在较高功率的应用中使用更加可靠。
在工作过程中,该器件的Vce饱和压降在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下表现出色,其最大值为460mV(在200mA和5A情况下),这标志着其在效率方面的良好表现。尤其是在大电流条件下,其低饱和压降有助于减少能量损耗,提高系统的整体效率。
ZXT1053AKTC在1A和2V的条件下,DC电流增益(hFE)的最小值为300,这一高增益特性使其能够适应多种电子电路需求。在需要进一步放大信号的场合下,此器件的高增益特性使得其在小信号放大应用中同样表现出色。
该晶体管的跃迁频率高达140MHz,这意味着它能够在较高的工作频率下稳定工作,适用于高频开关应用。这一特性使ZXT1053AKTC成为在开关电源、射频放大器等高频电路中的理想选择。
ZXT1053AKTC的工作温度范围从-55°C到150°C(TJ),使其在极端环境条件下均能正常工作。这一耐温范围为各种工业应用提供了可靠性,尤其是在高温或低温环境中需要稳定运行的设备中。
该器件采用TO-252封装(DPAK),该封装具有良好的热管理特性,适合于表面贴装技术(SMT)应用。由于其集成设计能够在小空间内提供有效的散热,ZXT1053AKTC适合于现代电子产品对小型化、高性能的需求。
ZXT1053AKTC可广泛应用于以下几个领域:
总体而言,ZXT1053AKTC凭借其卓越的电气性能、稳健的工作特性,以及适用的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的核心元器件。考虑到其高功率、高电流、高增益和优异的频率响应,ZXT1053AKTC无疑是开发高效、安全、可靠电子产品的优选器件之一。作为DIODES(美台)公司推出的一款产品,它展现了高质量的设计和制造水平,满足了市场对高性能晶体管的迫切需求。