ZXMP3A16GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.212g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 30V 5.4A 1个P沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.36按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.36
--
100+
￥2.69
--
1000+
￥2.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMP3A16GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1022pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZXMP3A16GTA手册
ZXMP3A16GTA概述
产品概述：ZXMP3A16GTA P沟道MOSFET
概述
ZXMP3A16GTA 是一种性能卓越的 P 通道MOSFET，专为低功耗应用而设计，其封装类型为 SOT-223。作为一种金属氧化物半导体场效应管，该器件在多个电源管理和开关电路中发挥着关键作用。其电气特性使其能够在低电压和高电流条件下有效工作，适用于广泛的工业和消费电子产品。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 5.4A （在25°C环境下）
- 栅源极阈值电压: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 45mΩ @ 4.2A，10V
- 最大功率耗散: 2W (在环境温度25°C时)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型与尺寸: SOT-223，TO-261-4，TO-261AA
电气特性
ZXMP3A16GTA 的设计使其在多种操作条件下均可以实现高效的性能。漏源电压高达30V，使其适合多数消费者电子及工业设备的应用。这款P沟道的MOSFET在25°C时具有5.4A的连续漏极电流能力，这为许多电路提供了强大的开关能力。
特定的栅源极阈值电压为1V，确保其在较低的驱动电压下即可开始导通，这在电池供电的设备中尤其重要。漏源导通电阻为45mΩ，表示在4.2A的电流下，MOSFET的能量损耗很小，进而提高了电路的整体效率。
在高频应用中，该器件的输入电容（Ciss）为1022pF @ 15V，展示了其良好的动态性能。更重要的是，该器件的栅极电荷（Qg）为29.6nC @ 10V，这意味着在开关操作时可以实现快速的响应能力。
应用场合
由于其优越的电气特性，ZXMP3A16GTA 广泛应用于：
- 电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统。
- 负载开关: 在电子设备和照明系统中，作为有效的负载开关，帮助实现电源的启停控制。
- 音频放大器电路: 在低频和高频音响应用中，作为开关通道以控制音频信号的传输。
- 工业控制: 在各种工业控制系统中作为开关元件，提供可靠的电流控制。
安装与兼容性
ZXMP3A16GTA的SOT-223封装使其易于在各种电路板上进行表面贴装，大幅简化了其在现代电子产品设计中的集成过程。其兼容的焊接工艺和优异的散热性能，确保器件在各种工作温度下稳定运行。
总结
ZXMP3A16GTA 是一款高效的P沟道MOSFET，提供了良好的电气性能与广泛的应用可能。其高漏源电压、低导通电阻及适应广泛工作温度的特性，使其成为了许多电子设计项目中的优秀选择。在现代电源管理、负载开关及工业控制系统中，该器件将成为实现高效能的关键因素。选择 ZXMP3A16GTA，无疑是在追求高可靠性和高效率设计中的明智决策。