ZXMN2F30FHTA
ZXMN2F30FHTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.1A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 2.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 960mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 2.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 452pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN2F30FHTA手册
ZXMN2F30FHTA概述
ZXMN2F30FHTA 产品概述
ZXMN2F30FHTA 是一种高性能 N 沟道 MOSFET，专为高效率电源管理、开关电源及其他需要快速开关和较小功率损耗的应用而设计。其优良的电气特性和可靠性使其在多种电子产品中得到了广泛应用。
1. 产品基本特性
漏源电压 (Vdss): ZXMN2F30FHTA 的额定漏源电压为 20V，适合低电压应用环境。它能够在此电压范围内安全工作，同时保持良好的开关特性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该设备的连续漏极电流额定值为 4.1A。这使得 ZXMN2F30FHTA 能够处理中等功率负载，适合电机驱动、LED 驱动等电源变换应用。
2. 导通电阻和功率耗散
导通电阻 (Rds(on)): 在 2.5A 和 4.5V 的条件下，ZXMN2F30FHTA 的最大漏源导通电阻为 45mΩ。这意味着当 MOSFET 导通时，能量损耗极小，从而提高了整体的效率，降低了发热量。
功率耗散: 最大功率耗散为 960mW，在实际设计中可以根据散热条件及环境温度进行合理计算。适当的散热设计将有助于发挥其更高的性能。
3. 驱动电压和门极阈值
驱动电压: ZXMN2F30FHTA 的驱动电压范围非常灵活，低至 2.5V，最大 4.5V，即使在较低的电压下也能够高效地导通。这使其在低电压微控制器或逻辑电平驱动电路中尤为适用。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此器件的门极阈值电压为 1.5V @ 250µA，表明它易于在较小的栅驱动信号下进入导通状态。这一点在设计时极大地简化了驱动电路的复杂性。
4. 其他电气参数
栅极电荷 (Qg): 管脚的栅极电荷量达到 4.8nC @ 4.5V，这表明在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于优化电路的功耗。
输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 的条件下，输入电容值为 452pF。这意味着在高频应用时，其开关速度较快，响应时间短。
5. 温度特性和封装
ZXMN2F30FHTA 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合于恶劣环境下的稳定工作。其封装类型为 SOT-23-3，提供了紧凑的外形，以适应小尺寸电路板设计，方便表面贴装（SMD）技术的生产和安装。
6. 应用场景
ZXMN2F30FHTA 可广泛应用于各种电子设备中，包括：
- 开关电源转换器
- 直流电机驱动控制
- LED 照明驱动
- 电池管理系统
- 自动控制电路
7. 结论
综上所述，ZXMN2F30FHTA 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，凭借其高效的电气特性、宽广的工作温度范围及适用的封装形式，满足了现代电子设计对高效率、小型化的要求。无论是在电源管理还是其他高频开关应用中，ZXMN2F30FHTA 都是值得信赖的选择。