ZXMN2A01FTA
ZXMN2A01FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.9A |
| 栅源极阈值电压 | 700mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 303pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN2A01FTA手册
ZXMN2A01FTA概述
ZXMN2A01FTA 产品概述
ZXMN2A01FTA 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名供应商 DIODES（美台）生产。这款器件设计用于中等功率的开关和放大应用，凭借其优异的电气特性和富有竞争力的规格，ZXMN2A01FTA 可广泛应用于多种电子和电气设备中。
基本参数
ZXMN2A01FTA 的漏源电压（Vdss）额定为 20V，适合多种低压应用场合。其连续漏极电流（Id）在 25°C 环境温度下达 1.9A，确保在应用中具备良好的驱动能力。此外，器件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 700mV @ 250µA，使得器件能够在较低的驱动电压下可靠工作。
为了提高效率，ZXMN2A01FTA 的漏源导通电阻（Rds(on)）最大值为 120mΩ，在 4A、4.5V 的工作条件下表现出色。这一特性在开关应用中尤为重要，因为较低的导通电阻可以显著降低功耗，从而提高系统的整体能效。
驱动电压与栅极电荷
该 MOSFET 的驱动电压范围广泛，能够在 2.5V 和 4.5V 下获得最小的 Rds(on)，这意味着用户在设计电路时可以灵活选择驱动电压，以满足不同的应用需求。此外，器件的栅极电荷（Qg）为 3nC @ 4.5V，使得其在快速开关应用中表现出色，能够在较高的开关频率下操作。
额定功率与温度范围
ZXMN2A01FTA 的最大功率耗散为 625mW（在 Ta = 25°C 时），这使得它能够在较高工作温度下（最大可达 150°C）保持稳定运行。其广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使得此器件能够适应各种极端环境，尤其适合在工业和汽车电子领域的应用。
封装与安装
ZXMN2A01FTA 采用 SOT-23 封装（TO-236-3），这种表面贴装型器件具有小体积和轻量化的优点，适合现代电子产品日益追求的空间和重量限制。同时，SOT-23 的封装方式也使得该 MOSFET 易于自动化生产和安装，提高了生产效率。
应用场景
得益于其优良的电气特性和多样的应用潜力，ZXMN2A01FTA 可广泛应用于以下领域：
- 电源管理：适用于开关电源、DC-DC 转换器中的功率开关。
- 电机驱动：在直流电机驱动和步进电机控制中，作为开关器件以提高效率。
- 负载开关：用于控制较大电流的负载启停，提升功率控制能力。
- 通用用途：在各种消费电子和商业设备中作为信号开关或放大器。
结论
ZXMN2A01FTA 是一款功能强大且灵活的 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能、可靠性以及实用性，成为许多电子设计工程师的首选。无论是用于简单的开关应用还是复杂的电源设计，ZXMN2A01FTA 都能提供高效、可靠的解决方案，是当今电子行业中不可或缺的重要器件之一。