ZVN2110GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.199g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 100V 500mA 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.64按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.64
--
50+
￥2.03
--
1000+
￥1.7
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN2110GTA参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 75pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
ZVN2110GTA手册
ZVN2110GTA概述
ZVN2110GTA 产品概述
一、基本信息
ZVN2110GTA 是一个高性能的 N 通道 MOSFET，封装形式为小型 SOT223，广泛应用于各种电子设备。作为 DIODES（美台）公司生产的一款 MOSFET，ZVN2110GTA 提供了优异的电气特性与可靠性，适用于要求高效率与低功耗的应用场景。
二、技术规格
- 安装类型: 表面贴装型（SMD），适合自动化流水线生产，易于焊接并节省空间。
- 漏极电流 (Id): 该器件在环境温度 25°C 时能够连续承受最大 500mA 的漏极电流，确保在各种负载条件下可靠工作。
- 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源最大电压为 100V，使其适合于高电压的应用环境。
- 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 2W，使其在高温和高电流条件下可以安全运行。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V Vgs 下，最大导通电阻可达 4Ω @ 1A，这在确保低功耗的同时，提供足够的驱动能力。
三、电气特性
- 输入电容 (Ciss): 在 25V 的工作条件下，输入电容的最大值为 75pF，表明其在高频应用中能够提供良好的开关性能。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2.4V @ 1mA，允许更低的门电压触发，便于与低电压系统兼容。
- 最大门源电压 (Vgs): 允许的最大 Vgs 为 ±20V 左右，保证了驱动电压的灵活性和安全边际。
四、工作环境
ZVN2110GTA 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），使其适用于恶劣的工作环境和苛刻的应用场合，如汽车电子、工业控制、通信设备等。
五、应用领域
ZVN2110GTA 的出色性能使其在多个领域得到了广泛应用：
- 开关电源: 可以作为高效的开关元件，提供平稳的电压和电流输出。
- 功率放大器: 用于信号放大领域，提供高增益与低失真。
- 电机驱动: 在适当的驱动电路中，可以控制直流电机和步进电机的驱动。
- 汽车电子: 在车辆电源管理系统及其他电子控制单元中，用于负载开关和电源管理。
- 消费电子: 广泛用于移动设备、电源适配器、LED 驱动等。
六、总结
ZVN2110GTA 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围及小巧的 SOT223 封装，成为了众多电子设计工程师的首选。这款 MOSFET 能够适应多种应用需求，从低功耗到高电压的环境均能稳定运行。无论是用于消费电子、工业控制还是汽车应用，ZVN2110GTA 均能提供卓越的性能和高可靠性，助力各种电子产品的高效运作。