晶体管类型 | 8 NPN 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 350mA,2V | 功率 - 最大值 | 2.25W |
工作温度 | -20°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 18-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 18-DIP |
ULN2804A 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能达林顿晶体管阵列。这款阵列特别设计用于驱动大电流负载,广泛应用于各种电子设备和工业控制系统中。ULN2804A 提供了8路 NPN 达林顿晶体管输出,使得用户在控制高功率负载时更加方便。其优异的电流增益和多路输出特性使得 ULN2804A 成为理想的选择,尤其是在需要大电流驱动的场合。
晶体管类型:ULN2804A 采用 NPN 达林顿结构,这种结构能够有效提高电流增益,从而减少驱动电流的需求,同时使得负载的控制变得简单而高效。
集电极电流 (Ic):最大值为 500mA,能够驱动多种高电流负载,如电动机、继电器及灯光等,为用户带来灵活性。
击穿电压 (Vce):该器件的集射极击穿电压最大可达到 50V,适合于多种电压应用场景。
饱和压降:在不同的驱动条件下,Vce 饱和压降最大为 1.6V,这意味着当晶体管完全导通时,其输出的电压损失极小,从而提高了系统的效率。
电流增益 (hFE):在 350mA 和 2V 的工作条件下,最小 DC 电流增益可达到 1000。这一特性保证了即使在低驱动电流条件下也能有效控制更大电流输出。
功率处理:ULN2804A 的最大功率处理能力为 2.25W,能够在严格的工作环境下稳定工作。
工作温度范围:该器件在 -20°C 到 150°C 的温度范围内可靠工作,具有较高的耐温性,适用于多种环境条件。
封装类型:ULN2804A 使用 18-DIP(0.300",7.62mm)封装,便于通过通孔方式进行电路板安装。
ULN2804A 在多个领域都有着广泛的应用,主要包括但不限于以下领域:
工业控制:可用于驱动电机、执行器和其他高功率设备,特别是在自动化和机器人技术中。
消费电子:在智能家居、音响设备及灯光控制系统中,ULN2804A 可以用于开关控制和调光。
汽车电子:在汽车电子系统中,ULN2804A能够有效控制各种车载灯、继电器和传感器。
通信设备:在通信设备中,ULN2804A可以作为开关驱动器,确保高效的信号传输和负载控制。
根据前述参数,ULN2804A 的主要技术规格总结如下:
ULN2804A 达林顿晶体管阵列以其高性能参数、灵活的应用场景和可靠的工作特性,成为工业和消费类电子产品中的热门选择。无论是在高温环境还是在复杂的电气条件下,它都能保证优异的性能表现。无论用于驱动负载还是执行控制操作,ULN2804A 均能够增强系统的效率,降低功耗,帮助设计师和工程师在各类电子产品设计中实现更高的性能目标。